روشی بهینه برای تحلیل شکل قله ایکس‌پی‌اس برای شناسایی دقیق نانوساختارهای فلزی درآمیخته با یک ماتریس پلیمری ارائه می‌شود. در این‌جا، توزیع عمقی نانوسیم‌های استوانه‌ای طلای در آمیخته با پلیمر با جزییات به‌دست می‌آید، که در آن تنها از تحلیل یک طیف در گسترة وسیعی از انرژی (حداقل تا 50 الکترون‌ولت پایین‌تر از انرژی قله) و کاهش زمینة ایجاد شده در اثر برخوردهای ناکشسان الکترون‌ها با لحاظ ترابرد الکترو...

در این پایان نامه تأثیر ارتعاشات مولکولی روی ترابرد الکترونی از یک زنجیره اتمی از طلا که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده به روش تابع گرین غیرتعادلی کلدیش (روشی قدرتمند برای تحلیل ترابرد ناکشسان در حضور برهمکنش الکترون- فونون) مورد تحقیق قرار گرفته است. اخیراً روش negf به طور موفقیت آمیزی برای ترابردهای ناکشسان در نانوساختارهای مختلف به کار برده شده است از جمله سیم های اتمی و اتصالات مولکولی. ب...

کشش بازار از یکسو و فشار فناوری از سوی دیگر همواره باعث رشد و شکوفایی مستمر صنعت قطعه سازی در دنیا شده است. به منظور کاهش هزینه های ساخت و افزایش قابلیت های عملکردی، حداقل ابعاد قابل ایجاد بر روی ویفرهای نیمه هادی (به ویژه سیلیکون) باگذشت زمان کاهش یافته و امروزه به حد چند ده نانومتر رسیده است. برخلاف انتظارات اولیه ساخت قطعات سیلیکونی در ابعاد نانومتری از یکسو هزینه گزاف داشته و از سوی دیگر تو...

در چند دهه ی اخیر ساخت و مطالعه ی سامانه های با بعد پائین است که اغلب ویژگی های بسیار متفاوتی نسبت به ساختار های معمول سه بعدی دارند‏، مورد مطالعه قرار گرفته اند. در نانوفناوری این نوع ساختارهای با ابعاد کم مانند دیگر مواد از نظر ساختار الکترونی و پدیده های مربوط به ترابرد الکترونی در آنها مورد توجه هستند. دو عامل مهم موجب اهمیت فوق العاده و ویژه ی ساختارهای با ابعاد کم شده است. نخست اینکه اثرا...

هدف از انجام این تحقیق مطالعه ی کنترل رسانش در ساختارهای نیمه رسانا می باشد. رسانش در ساختارهای نیمه رسانا را می توان با استفاده از نیمه رساناها و ترانزیستورها کنترل کرد. این پژوهش در سه بخش مورد بررسی قرار می گیرد که در این سه بخش تاثیر چرخش درونی بر رسانش نانوپلیمرهای هادی دارای حلق? بنزن اعمال می شود .در بخش اول به محاسب? گاف انرژی می پردازیم .در بخش دوم به محاسب? اختلاف بار الکتریکی اتم های...

0

بررسی ساختار نواری نیمرسانای 2h-sic با استفاده از برنامه شبیه ساز ابی نت و تعیین پارامترهای جرم موثر، انرژی گاف و فاصله بین دره ها برای شبیه سازی خواص ترابرد الکترون در میدان های الکتریکی شدید؛ همچنین محاسبه آهنگ پراکندگی الکترون در اثر فونون های اپتیکی و آکوستیکی و همچنین وجود ناخالصی های یونیزه.

نانولوله های کربنی، مواد ایده آلی هستند که در ساخت ادوات الکترونیکی در ابعاد نانو بکار می روند. یکی از علل مقاومت الکتریکی سیستم های نانومقیاس در دمای پایین مکانیسم پراکندگی الاستیک می باشد. از جمله پراکندگی های الاستیک می توان مراکز کولنی و برهم کنش الکترون- الکترون را نام برد. در این پروژه، نظریه پراکندگی ناخالصی کولنی دور در نانولوله های تک جداره با استفاده از تقریب تک الکترون مورد بررسی قرا...

نانونوارهای گرافنی به¬دلیل ویژگی¬های جالب الکتریکی و ترابرد اسپینی توجه زیادی را به خود جلب کرده است و در آینده از مولفه¬های ضروری نانوالکترونیک گرافنی خواهد بود. در حالی¬که مطالعات نظری متعددی از ساختار الکترونی و خواص مربوط به نانونوارهای گرافنی تک لایه وجود دارد، محاسبات نسبتا کمتری روی نانونوارهای گرافنی دو و چند لایه انجام شده است. در این پژوهش، ترابرد و چگالی حالت¬های الکترونی نانونوارهای...

در این پژوهش، تأثیر انرژی اولیه الکترون با گستره 1 تا MeV 10، تابع توزیع آن و دمای پیش پلاسمای زمینه keV 10-5/0 Te = بر ترابرد بهینه درون سوخت پیش فشرده با چگالی 3-g.cm 828-292 = ρcدر مدل افروزش سریع- شوکی به صورت نیمه­تحلیلی مطالعه شده است. نتایج نشان داد برای keV 5 ≤ Te، لگاریتم کولنی برخورد ذرات باردار به دما وابستگی ضعیفی دارد و به نظر ...