همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

بلوک تغذیه ازجمله بخشهای مهم واسا‎سی هرتراشه مجتمع امروزی می‎باشد . درحالت کلی، ازرگولاتورهای ولتاژخطی، به منظورتغذیه بخش آنالوگ سیستم که ازحساسیت بیشتری نسبت به نویز برخورداراست، همچنین برای تولید یک ولتاژخروجی پایدار و دقیق در وسایل قابل حمل، استفاده می‎شود. در این‎گونه مدارات بدون توجه به اندازه ولتاژ ورودی، جریان خروجی، دمای محیط ونویز تزریق شده از سوی مدارهای دیگر می‎توانند ولتاژخروجی پاید...

امروزه سمیت نقره و سرنوشت زیست محیطی آن مورد بحث و چالش است. با این که مطالعات بسیاری در مورد مقدار کل نقره در خاک صورت گرفته، گونه بندی این فلز در خاک به ویژه در خاک آهکی مطالعه نشده است. بنابراین هدف این مطالعه بررسی رفتار شیمیایی این فلز سنگین در دو خاک آهکی و غیرآهکی تعریف شد. آزمایش به شکل فاکتوریل با طرح کاملاً تصادفی با تیمار های نقره (0 و 15 میلی گرم بر کیلوگرم)، لجن فاضلاب (0 و 20 تن در...

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

در چندین دهه اخیر، تکثیر جهانی کامپیوترها، سیستم های الکترونیکی و تجهیزات قابل انتقال، باعث شده که طراحان و محققان تمرکز بیشتری بر طراحی سیستم های ولتاژ و توان پایین داشته باشند. یک ota ولتاژ و توان بسیار پایین در این پروژه پیشنهاد شده است. برای طراحی مدارات ولتاژ پایین، آینه جریان ها و طبقات ورودی و خروجی بررسی می شوند. روش های زیادی برای طراحی otaهای ولتاژ و توان پایین وجود دارد. یکی از این...

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی چهار مخلوط کننده ی ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای مختلف مطرح شده است. ابتدا یک مخلوط کننده ی به هم تابیده ی توان پایین و ولتاژ پایین برای کاربردهای باندپهن که بازه ی فرکانسی 0.5-7.5 ghz را شامل می شود طراحی شده است. این مخلوط کننده ی مبدل کاهشی کاملاً تفاضلی با استفاده از تکنولوژی cmos µm 0.18 طراحی شده است و ساختار به هم تابیده برای بهبود بهره ی مخلو...

مساحت و نسبت عمق به عرض جوش را می توان به عنوان مهم ترین عامل های هندسی در جوشکاری لیزر پالسی در نظر گرفت. در این پژوهش اثر افزودن گازهای دی اکسیدکربن و اکسیژن به گاز محافظ آرگون بر خواص جوش لیزر پالسی فولاد کم کربن بررسی شده است. براساس نتایج این تحقیق با افزایش گازهای اکسیژن و دی اکسید کربن تا 10 و 15 درصد حجمی به گاز آرگون، مساحت ناحیه جوش ابتدا کاهش و در ادامه با افزایش این گازها، مساحت حوض...

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلیسیوم روی عایق در آن می پردازد و در این راستا چندین ساختار نوین برای آنها ارایه می شود. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم.

امروزه بیش از ۹۰ درصد از فولادها به روش ریخته گری پیوسته تولید می شوند. یکی از مشکلات اصلی در این روش مسدود شدن مجرای ورود مذاب به قالب توسط آخال آلومینایی موجود در فولاد مذاب است. در این پژوهش اصلاح ترکیب شیمیایی آخال آلومینایی به فازهای ثانویه کلسیم آلومینایی مورد بررسی قرار گرفت. دو ترکیب کاربید و اکسید کلسیم در دو سری ذوبهای آزمایشی به فلز مذاب افزوده گردید و ترکیب شیمیایی فازهای ثانویه توس...