چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

با کوچک شدن اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) مشکلاتی نظیر افزایش جریان نشتی، تونلی و نفوذ اتم های بور از گیت دی الکتریک بازدهی آن ها را کاهش داده است. حل این مشکلات نیازمند نانوترانزیستورهایی با گیت دی الکتریک با ثابت دی الکتریک (k) بالا به جای گیت دی-الکتریک امروزی، اکسید سیلیکون (2sio) می باشد. در این پژوهش، با سنتز و بررسی ویژگی های الکتریکی و نانوساختاری نانوک...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

مساحت و نسبت عمق به عرض جوش را می توان به عنوان مهم ترین عامل های هندسی در جوشکاری لیزر پالسی در نظر گرفت. در این پژوهش اثر افزودن گازهای دی اکسیدکربن و اکسیژن به گاز محافظ آرگون بر خواص جوش لیزر پالسی فولاد کم کربن بررسی شده است. براساس نتایج این تحقیق با افزایش گازهای اکسیژن و دی اکسید کربن تا 10 و 15 درصد حجمی به گاز آرگون، مساحت ناحیه جوش ابتدا کاهش و در ادامه با افزایش این گازها، مساحت حوض...

لایه ای از نانوسیم­های اکسید روی بر روی زیر­لایة فلز روی از محلولی که حاوی 2 znclو 2o2  hبوده به­روش احیاء کاتدی و از طریق حرارت دادن در اتمسفر در دمای ºc 400 و به­مدت 4 ساعت ایجاد شد. پراش پرتو ایکس مجموعه­ای از قله­های معین، (مطابق با ساختار ورتزایت اکسید روی) نشان می­دهد. تصاویر میکروسکوپ­های الکترونی روبشی و عبوری مشخص می کند که نانو­سیم های اکسید روی با جهت­گیری اتفاقی با طول چندین میکرون ...

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

این پایان نامه به بحث درباره شبیه سازی ، طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای مقیاس نانو در سطح کوانتمی می پردازد. اصول اساسی در این پایان نامه را می توان به ترتیب زیر بیان کرد. فیزیک مناسب اجرا و روش شناختی مدلسازی ترانزیستورها، توسعه روش tcadتکنولوژی طراحی به کمک کامپیوتر برای شبیه سازی سطح کوانتمی، آزمایش و تخمین ویژگی های جدید انتقال حامل در ترانزیستورهای مقیاس نانو و شناسایی پیامد طراحی ابزارها ...