نانولوله‏ها با خواص منحصر به فرد مکانیکی، الکتریکی و اپتیکی باعث پیشرفت های چشم گیری در عرصه های مختلف صنعتی شده اند. در این پژوهش نانولوله های بور نیترید (5,5) قبل و بعد از ایجاد نقص جای خالی نیتروژن و بور مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از برنامه pwscf از بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو انجام شده است. این برنامه بر اساس نظریه ی تابعی چگالی و با در نظر گرفتن امواج تخت به عنوان توا...

در این پایان¬نامه ما به بررسی تاثیر میدان الکتریکی بر کنترل خواص الکترونی، مغناطیسی نانوحلقه¬ها و نانودیسک¬های گرافینی به منظور استفاده در نانوترانزیستورهای وابسته به اسپین می¬پردازیم. با توجه به تنگ بست قوی تک¬نواری و مدل میدان متوسط هابارد، از حل معادله پواسن به منظور در نظر گرفتن اثر میدان الکتریکی(پتانسیل در هر جایگاه اتمی) استفاده کردیم. با در نظرگرفتن میدان¬های الکتریکی متفاوت، خواص الکتر...

اندازه گیریهایی به روش جریانهای واقطبشی به کمک برانگیختگی گرمایی روی پلیمرهای تجارتی پلی اتیلن و پلی اتیلن ترفتالات و پلی ونیل کلراید انجام شد. دستگاهی برای آزمایش طراحی و در آزمایشگاه ساخته و راه اندازی شد و نتایج حاصل از اندازه گیریها روی یک رکورد نواری تک کاناله ثبت شد.

در این پایان نامه ما به منظور بهبود خواص الکترونیکی و کاربردی به بررسی نانوساختارهای سیلیسنی با استفاده از مدل تنگ-بست چند باندی می پردازیم. با استفاده از فرمول بندی اسلیتر و کوستر در مدل تنگ-بست به بررسی و تحلیل باندهای پیوندی سیگما و پای در نانوساختارهای سیلیسنی از جمله نانو نوارها، پولک های سیلیسنی و یک صفحه ی سیلیسنی خواهیم پرداخت. نقش تمامی پیوندها را در خواص الکترونیکی این نانوساختارها مو...

در این پایان¬نامه خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی yvo4 و gdvo4 به صورت نظری بررسی شده است. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده¬ی خطی (fp-lapw) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج بدست آمده نشان می¬دهد که yvo4 گاف نواری به اندازهev64/3 دارد که با جانشینی gd به جای y در ترکیب gdvo4، به مقدار ev.44/2 کاهش می¬یابد. اوربیتال f اتم gd خواص الکترونیکی متف...

امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه mos2 به عنوان نیمه هادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه mos2 در بازه ی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمه بی نهایت sio2 و هوا است که تک لایه mos2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطب...

نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...

امروزه پیشرفت فناوری پلیمرهای معدنی موجب استفاده گسترده از آن‌ها در صنایع الکترونیک، پزشکی، هوافضا، نظامی و سایر کاربردها شده است. بنابراین، پژوهشگران در مراکز پژوهشی و بخش‌های تحقیق و توسعه صنایع مختلف، پژوهش‌های بسیاری را در زمینه سنتز پلیمرهای معدنی جدید با ویژگی‌های خاص فیزیکی، شیمیایی و الکترونیکی انجام داده‌اند. پلی‌فسفازین‌ها از بزرگ‌ترین و متنوع‌ترین گروه‌های خانواده پلیمرهای معدنی هستن...

در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونیکی نانو نوارهای گرافینی با استفاده از تقریب تنگ بست و روش تابع گرین می پردازیم. برای این کار ابتدا نانو نوارهای گرافینی را بدون هیچ گونه ناخالصی و میدان خارجی در نظر گرفته، و برای عرضهای مختلف خواص الکترونیکی و وابستگی آنرا به اندازه ی عرض نوار و شکل لبه ها تعیین می کنیم. در مرحله ی بعد خواص الکترونیکی دستگاه را با در نظر گرفتن میدان مغناطیسی یکنواخت خارج...