سیلیکون اثرهای مفیدی بر رشد، عملکرد و بهبود تحمل برخی گیاهان در برابر تنش های زیستی و غیرزیستی دارد. به منظور مطالعه تأثیر غلظت های مختلف سیلیکون بر گیاه گاوزبان ایرانی (echium amoenum fisch & c.a. mey.) سه سطح سیلیکون (صفر، 2/0 و 7/0 میلی مولار از منبع نمک سیلیکات سدیم( و دو سطح شوری (صفر و 100 میلی مولار از کلرید سدیم( و دو دوره تیمار سیلیکون بلند مدت (30 روز) و کوتاه مدت (15 روز) در نظر گرفت...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...

چکیده در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پردازش اطلاعات، ذخیره سازی، صفحه های نمایش، صنایع تزئینی، ابزارآلات نوری، مواد سخت و عایق ها نتیجه تولید لایه های نازک براساس فناوری های نوین می باشد. در ساخت لایه های نازک نیز در سال های اخیر تحولات وسیعی صورت گرفته است که خود ناشی ا...

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

هدف تحقیق حاضر، بررسی پویایی جریان­های دی اکسید کربن، متان و نیتروز اکسید در ارتباط با تغییرپذیری برخی مشخصه­های خاک در سنین مختلف چاله و کپٌه، ریزتوپوگرافی حادث شده از ریشه­کن شدن درختان، می­باشد. به این منظور، قطعه شاهد سری لالیس واقع در استان مازندران پیمایش شده و تعداد 24 درخت ریشه­کن شده از گونه­ راش شناسایی شد. سن چاله و کپٌه معادل سن خشکه­دار در نظر گرفته شد و بر همین اساس، 6، 7، 5 و 6 خشک...

زمینه: دی اکسید گوگرد یکی از مهم‌ترین آلاینده‌هایی است که سبب بروز خسارات جبران‌ناپذیر به محیط زیست و سلامت انسان‌ها در عصر حاضر می‌شود. هدف از مطالعه حاضر بررسی و مقایسه تأثیر آلاینده دی اکسید گوگرد بر مرگ‌های تنفسی و قلبی-عروقی در شهر بوشهر می‌باشد. مواد و روش‌ها: این مطالعه تحلیلی در سال 1390 در شهر بوشهر انجام شد. در مرحله اول داده‌های مورد نیاز به صورت خام از سازمان محیط زیست و سازمان هو...

نفوذ کربن دی اکسید تا سطح آرماتور در سازه‌های بتن‌آرمه، منجر به خوردگی آرماتورها می‌شود. میزان غلظت کربن دی اکسید در محیط برروی زمان شروع خوردگی اثرگذار است. بر اساس ادبیات فنی، میزان غلظت کربن دی اکسید موجود در جو می‌تواند بر اثر تغییرات آب وهوایی از  397 ppm در سال 2005 با نرخ‌های رشد متفاوتی به 1000 ppm درسال 2100 افزایش یابد. در این مقاله سعی شده است که با استفاده از روش مونت کارلو احتمال ش...

در این کار، تعادل بخار مایع (VLE) سامانه سه تایی کربن دی اکسید (1)- آب(2)- متیل دی اتانول آمین(3) در بازه‌ ی گسترده دما (K 433-313) ، فشار (kPa 4930-775/0) و درصد وزنی متیل دی اتانول آمین (75-5) با استفاده از معادله‌ ی حالت مکعبی به اضافه تجمعی (CPA) مدل‌ سازی شد. مدل سازی سامانه سه تایی کربن دی اکسید ـ آب ـ متیل دی اتانول آمین با دو روش متفاوت صورت پذیرفت. روش اول: بهینه سازی پا...

آلودگی خاک‌ها با نانوذرات اکسید فلزی توسط فعالیت‌های مختلف بشر یک مسئله مهم محیط زیست در کشورهای توسعه یافته و در حال توسعه است. مطالعه حاضر با هدف بررسی اثرات نانوذرات اکسید روی و دی اکسید سریم (در چهار غلظت 250، 500، 1000 و 2000 میلی‌گرم بر لیتر) بر برخی پارامترهای رشد و بیوشیمایی گیاه لوبیا در شرایط گلخانه‌ای و در قالب طرح کاملاً تصادفی انجام شد. نتایج نشان داد که نانوذرات اکسید روی تقریباً در...