نتایج جستجو برای: راه انداز گیت رزونانسی

تعداد نتایج: 44516  

ژورنال: نشریه هیدروفیزیک 2019

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

ژورنال: :پژوهشنامه اصلاح گیاهان زراعی 0
محمود ولی زاده سید کمال کاظمی تبار مارتن یونسما

گل داوودی متعلق به خانواده چتریان بوده و دومین محصول باغبانی مهم در دنیا می باشد. اکثر ژنوتیپهای این گیاه به شته حساس بوده و آلودگی ها به طور جدی می توانند ارزش اقتصادی آن را تحت تأثیر قرار داده و همچنین باعث انتقال ویروسها به این گیاه که به صورت رویشی تکثیر می شود، می گردند. در این تحقیق به منظور القاء مقاومت به شته، دو ژنوتیپ 1581 و 4043 از گل داوودی با استفاده از آگروباکتریوم نژاد agl0 حاوی ...

ژورنال: :علوم و فناوری فضایی 0
حجت قاسمی محمد ندافی پور میبدی کیوان شعبانی لاکه عیسی اصغری سازمان فضایی ایران - پژوهشکده سامانه های حمل و نقل فضایی ابراهیم زنجیریان

کاربرد پراکسید هیدروژن به عنوان یک اکسنده در یک موتور هیبریدی آزمایشگاهی به همراه پلیمر htpbبه عنوان سوخت مورد بررسی قرار گرفت. ابتدا با انجام مطالعات ترموشیمیایی این پیشرانه، محدوده کاری ترکیبات مختلف آن تعیین گردید. سپس یک موتور آزمایشگاهی هیبریدی با تولید نیروی پیشران در حدود 10 کیلوگرم طراحی و ساخته شد. پراکسید هیدروژن تجاری حاوی پایدارکننده موجود در بازار ایران، پس از طی فرآیند ویژه ای به ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی مکانیک 1393

تمرکز این پایان نامه به روی بیماران پرتس است که از ارتز اسکاتیش رایت استفاده می کنند. هدف ما از این مطالعه ارائه گیتی است از این افراد در حین استفاده از ارتز مذکور است، به نحوی که این گیت به ازای زوایای مختلف ارتز حرکت بیماران را به درستی نشان دهد. از این رو ابتدا بایستی تمایز این گیت با گیت افراد معمولی مشخص شود و سپس با ارائه مدلی سینماتیکی با انتخاب صحیح حداقل درجات آزادی به طوری که بتواند ب...

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
محمد آسیایی دانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسی

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده فنی 1391

تقاضای روز افزون برای منابع توان کوچک تر و کارآمدتر برای تجهیزات الکترونیکی فشرده، به روی آوردن درخواست ها برای مبدل های توان رزونانسی منجر شده است. در میان ساختارهای متعدد مبدل ها، مبدل های رزونانسی سری-موازی رایج-ترند. این مبدل ترکیب مزایای مبدل رزونانسی سری و مبدل رزونانسی موازی را داراست. مزایای مبدل های رزونانسی کاملاً شناخته شده اند: چگالی توان زیاد، بازدهی بالا و تداخل الکترومغناطیسی کم. ...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 2015
نوید صالحی مجید دهقانی

اگرچه مبدل های رزونانسی llc دارای سابقه نسبتاً زیادی می باشند، اما اخیراً این مبدل ها مخصوصاً با به کارگیری توپولوژی نیم پل از محبوبیت ویژه برخوردار شده اند. در بسیاری از کاربردها مانند atx pcها و تلویزیون های صفحه تخت که نیازمند راندمان و توانایی انتقال چگالی توان بالایی هستند، استفاده از مبدل رزونانسی llc نیم پل با توجه به معایب بسیار کمی که دارد، بهترین راه حل می باشد. یکی از مشکلات طراحی این م...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
ترانه وظیفه شناس هادی رحمانی نژاد محمد براتی

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2013
ترانه وظیفه شناس, محمد براتی, هادی رحمانی نژاد

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید