در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روش تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عدد اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعدد اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیاد مقدارِ عدد اِشغال را به این عوامل نشا...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

در این تحقیق با استفاده از فرمول بندی تابع گرین و رابطه لانداور-بوتیکر به بررسی رسانش و پدیده مغناطومقاومت در مولکول پلی تیوفن می پردازیم و اثرات برهمکنش الکترون-فونون، الکترون-الکترون و حضور میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ اعمالی را بر روی خواص رسانندگی بررسی خواهیم کرد. مولکول پلی تیوفن در این تحقیق به وسیله هامیلتونی سو-شریفر-هگر توصیف میشود و الکترودها در تقریب باند پهن بررسی میشوند. بر اساس ن...

پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن د...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

در این تحقیق، به مطالعه عددی رسانش الکتریکی یک نانو ساختار نردبانی نامتناهی ایده آل در حضور و غیاب نقص های شبکه ای به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست پرداخته شده است. نقص های شبکه ای را می توان به عنوان اتصال های یک نردبان متناهی مرکزی به دو نردبان نیمه متناهی به عنوان هادی ها در نظر گرفت. نتایج نشان می دهد که ناحیه همپوشانی دو کانال رسانش نردبان را مقدار انرژی پرش در راستای پله تعیین می کن...

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به مطالعه‏ی ترابرد الکترونی یک سامانه ی چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار می‏کند. همچنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونل زنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بست...