در این پژوهش، ترابرد کوانتومی را در اتصال ابررسانا/فلز‎‎ نرمال بررسی نموده ایم؛ که ابررسانا از نوع‎ p-wave ‎ و فلز نرمال‎‎‏، گاز الکترونی دو بعدی است. ما اثر جفت شدگی اسپین-مدار راشبای موجود در فلز نرمال و در سطح مشترک را بر رسانش الکتریکی مطالعه نموده ایم. ‎‎در فصل یک به کلیاتی در مورد جفت شدگی اسپین-مدار و انواع آن پرداخته ایم. فصل دو را به مروری بر ابررسانایی اختصاص داده ایم. بازتاب آندریف ...

اثر اسپینی هال (she) نامی است که به مجموعه ای از پدیده هایی گفته می شود که دو خصوصیت اساسی و مهم دارند: (1) جریان الکتریکی طولی در نمونه ای از نیمه رسانای پارامغناطیسی یا فلزی منجر به جریان اسپینی عرضی و انباشتگی اسپینی در لبه های عرضی می شود؛ (2) she نیازی به اعمال میدان مغناطیسی خارجی و یا نظم مغناطیسی نمونه در حالت تعادل ندارد. در عوض متکی بر حضور جفت شدگی های اسپین- مدار (so) در نمونه می با...

ابتدا با توجه به معانی فیزیکی اجزا ماتریس های مثلثی که از تجزیه ماتریس اندوکتانس بدست می آیند معکوس ماتریس اندوکتانس های اتصال های کوتاه بدست آورده شده است سپس به کمک ماتریس تلاقی ماتریس ادمیتاس گره محاسبه و نشان داده شده است که می توان مداری شامل اندوکتانس ها بدون القا متقابل یافت که این ماتریس ادمیتاس گره در آن مدار نیز صادق باشد در پایان چند مثال ساده آورده شده اند .

چکیده از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهمکنش اسپین- مدار راشبا در سال 1990 تا کنون تلاش های زیادی برای تزریق و آَشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماده ی نیم رسانا منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالعه ی خواص ترابرد بار و اسپین حلقه های مزوسکوپی بالیستیک نظیر مقاومت مغناطیسی تونل زنی، تشدیدهای رسانندگی، جریان های پایدار بار و ا...

اگرچه مبدل‌های رزونانسی LLC دارای سابقه نسبتاً زیادی می‌باشند، اما اخیراً این مبدل‌ها مخصوصاً با به کارگیری توپولوژی نیم‌پل از محبوبیت ویژه برخوردار شده‌اند. در بسیاری از کاربردها مانند ATX PCها و تلویزیون‌های صفحه تخت که نیازمند راندمان و توانایی انتقال چگالی توان بالایی هستند، استفاده از مبدل رزونانسی LLC نیم‌پل با توجه به معایب بسیار کمی که دارد، بهترین راه‌حل می‌باشد. یکی از مشکلات طراحی این م...

اگرچه مبدل‌های رزونانسی LLC دارای سابقه نسبتاً زیادی می‌باشند، اما اخیراً این مبدل‌ها مخصوصاً با به کارگیری توپولوژی نیم‌پل از محبوبیت ویژه برخوردار شده‌اند. در بسیاری از کاربردها مانند ATX PCها و تلویزیون‌های صفحه تخت که نیازمند راندمان و توانایی انتقال چگالی توان بالایی هستند، استفاده از مبدل رزونانسی LLC نیم‌پل با توجه به معایب بسیار کمی که دارد، بهترین راه‌حل می‌باشد. یکی از مشکلات طراحی این م...

هدف، هدف،معرفی الگوی پیشگیری از استرس شغلی، فرسودگی هیجانی و رفتارهای انحرافی از طریق مدیریت، رهبری و ارزش های اخلاقی است.روش همبستگی از نوع تحلیل ماتریس کوواریانس و جامعه آماری، کارکنان شرکت سهامی ذوب آهن(7000 نفر) که از میان آنها براساس نمونه گیری طبقه ای و فهرست اسامی کارکنان،385 نفر انتخاب شدند و پرسشنامه های استرس شغلی(کاهن و همکاران،1964)رهبری اخلاق مدار(راولد،2008) و ارزش های اخلاقی صنفی...

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

ابتدا با توجه به معانی فیزیکی اجزا ماتریس های مثلثی که از تجزیه ماتریس اندوکتانس بدست می آیند معکوس ماتریس اندوکتانس های اتصال های کوتاه بدست آورده شده است سپس به کمک ماتریس تلاقی ماتریس ادمیتاس گره محاسبه و نشان داده شده است که می توان مداری شامل اندوکتانس ها بدون القا متقابل یافت که این ماتریس ادمیتاس گره در آن مدار نیز صادق باشد در پایان چند مثال ساده آورده شده اند .

ما در این پایان نامه پذیرفتاری گرافن تک لایه را محاسبه خواهیم کرد. به این صورت که ابتدا هامیلتونی گرافن تک لایه را با استفاده از روش بستگی قوی در فرم کوانتش دوم و با در نظر گرفتن ترم راشبا (یعنی با وجود اثرات اسپین-مدار القایی) محاسبه خواهیم کرد و با محاسبه ویژه حالتها و وارد کردن بر همکنش الکترون- فوتون (وجود یک میدان الکترومغناطیسی خارجی) و اضافه کردن ترم زیمن پذیرفتاری گرافن تک لایه را بدست ...