این پایان نامه به بررسی سینتیکی دزیمتر ترمولومینسانس(? ? al2o3 : c (tld-500 در پرتودهی با گاما چشمه 60co اختصاص پیدا کرده است. جداسازی کامپیوتری منحنی تابش با استفاده ازسینتیک مرتبه عام برای تعیین پارامترهای سینتیک در مورد دزهای مختلف و پرشدگی های مختلف مراکزگیراندازی به کار رفته است و در هر مورد تغییرات پارامترهای سینتیک بررسی شده است. برای تعیین تعداد پیک های تابش موجود در منحنی تابش روش اعما...

مولدهای تراکم شار انرژی حاصل از انفجار را به انرژی مغناطیسی تبدیل می کنند . این مولد ها به خاطرقابلیت فوق العاده ای که در تولید پالس با توان بسیار زیاد در زمان کوتاه دارند بهترین انتخاب بعنوان سیستم پالس قدرت می باشند و عموما گستره بسیار بزرگی در کاربرد دارند به عنوان مثال: رادارها، درمان مجاری رگ های خونی، چشم و دندان، اشعه ایکس، اکتشافات نفتی ، لیزر ، مولد اولیه coil gun و پرتابه ها و . . . ...

مطالعه نانولوله های کربنی نیازمند مدل هایی است که بتوان رفتار آن ها را به عنوان اتصالات میانی مدل سازی نمود. مدل سازی نانولوله های کربنی تک جداره اساس مدل سازی نانو لوله های کربنی چندجداره می باشد. روش مدل سازی نانولوله های کربنی چندجداره بر اساس نانولوله های کربنی تک جداره به این ترتیب است که برای هر پوسته ی یک نانولوله کربنی چندجداره یک مدار معادل مشابه با نانولوله کربنی تک جداره تخصیص داده م...

هدف از این مقاله پیاده سازی طراحی مفهومی بلوک انتقال مداری طبق مدل فرآیند طراحی بهینه سازی چند گامی ترتیبی، به جهت انجام مانور مشخص با کمترین وزن و درحالت واقعی است. در این روش دو حلقه بهینه سازی و طراحی مطرح می گردد که با یکدیگر در فرآیند آنالیز جرمی مرتبط هستند و کلیه خروجی های موجود در حلقه داخلی به عنوان ورودی حلقه خارجی مورد استفاده قرار می گیرد. در حلقه داخلی و برای قراردادن بلوک انتقال م...

در این رساله لیزر نیمه هادی مخابراتی مبتنی بر نقاط کوانتومی خود سامان یافته ناهمگون in1-xgaxas/gaas با در نظر گرفتن حالت های پایه ، برانگیخته ، پیوستار و وتینگ و لحاظ کردن اثرات ساختاری ناشی از فرآیند ساخت نظیر پهن شدگی غیر همگن بهره ، و محیطی نظیر درجه حرارت و پهن شدگی همگن ، با استفاده از شکل دقیق معادلات نرخ، تحلیل و رفتار لیزر مدل سازی می شود. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که با انتخا...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

پارامترهای مداری در قالب یکی از ورودیهای اصلی طراحی زیرسیستم تأمین توان و کنترل دمای ماهواره مطرح است. مواردی مثل زمان سایه، زاویه تابش خورشید به پنلها، آلبدو و تششعات گرمایی زمین به مشخصات مداری ماهواره وابسته است. در این تحقیق با استفاده از روشهای شبیه سازی دقیق، تمامی موارد یادشده در طول مأموریت شبیه سازی شده است و فرایند طراحی بهینه مدار با هدف کمینه کردن تعداد روزهایی از مأموریت که تضمین ت...

این پژوهش با عنوان رابطه ی رهبری فعالیت آموزشی با تعهد سازمانی کارکنان دانشگاه دولتی استان قم در گروه نمونه ای با حجم 150 نفر از کارکنان به منظور پاسخ به پرسش هایی در جامعه ی مورد مطالعه ، رهبری فعالیت آموزشی و هر یک از ابعاد آن و نیز تعهد سازمانی کارکنان تا چه میزان است ، رتبه بندی سطوح رهبری فعالیت آموزشی کدام است ، آیا رهبری فعالیت آموزشی با تعهد سازمانی کارکنان رابطه دارد ، و آیا رهبری فعال...