در این مقاله ساختار جدیدی از مبدل‌های DC به DC بدون ترانسفورمرِ متقارن به‌منظور افزایش بهره ولتاژ آن ارائه شده است. می‌توان با توسعه ماژولار سیستم پیشنهادی، حداکثر بهره ولتاژ مبدل و همچنین تنش کلیدهای قدرت را به‌دلخواه تنظیم نمود. ساختار ارائه‌شده مبتنی بر مدارات خازن/سلف کلیدزنی‌شونده بوده و به‌گونه‌ای طرح شده است که همه کلیدهای مبدل توسط یک مدار مدولاسیون پهنای باند (PWM) کنترل می‌شوند. جریان ...

در این پژوهش، نانوکامپوزیت متخلخل ZnO/MWCNT و نانوذرات ZnO با استفاده از شبکه آلی-فلزی (MOF) بر پایه Zn تهیه شدند. همچنین، به منظور مقایسه، نانوذرات ZnO بدونMOF نیز سنتز شدند. ساختار، مورفولوژی و سایز نانو ساختارها با استفاده از الگوی پراش (XRD) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. سلول‌های خورشیدی حساس شده به رنگدانه (DSSCs) با استفاده از نانوکامپوزیت ZnO/MWCNT...

در این مقاله مشخصات فنی و قسمت های مختلف مدار کنترل کننده ی ماژول led با توان اسمی 65 وات که در شرکت صنایع الکترونیک افراتاب ساخته شده است، تشریح شده است. این مدار شامل بخش های اصلی مدار حفاظت و فیلتر emi ورودی، مدار اصلاح ضری بتوا ن با توپولوژی boost و مدار درایور ماژول led است که به صورت یک کنترل کننده جریان ثابت در محدوده تغییرات ولتاژ ورودی و بار خروجی مورد استفاده قرار م یگیرد. ضریب توا ن ...

در این مقاله یک مبدل ترکیبی بوست- سپیک با کلیدزنی نرم برای کاربردهایی که به بهره ولتاژ بالا نیاز دارند، ارائه شده است. یکی از ویژگی های اصلی در این مبدل روشن شدن سوئیچ اصلی تحت شرایط zcs می باشد. این کار بدون بهره گیری از سوئیچ کمکی و مدارات اضافی انجام می شود. در این مبدل جهت افزایش بهره ولتاژ، خروجی مبدل سپیک با خروجی مبدل بوست سری شده که تشکیل یک مبدل ترکیبی را می دهند. علاوه بر این از یک سل...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

در این مقاله یک مبدل dc-dc دوجهته غیرایزوله جدید معرفی می‌شود. مبدل پیشنهادی می‌تواند تحت شرایط کلیدزنی ولتاژ صفرZVS) ) و فرکانس کلیدزنی ثابت بدون در نظر گرفتن جهت فلوی توان عمل کند. برای ایجاد شرایط ZVS سوئیچ‌ها در این مبدل از یک مدار کمکی بسیار ساده استفاده می‌شود، که شامل یک سیم پیچ تزویج شده به سلف اصلی و یک سلف کمکی است. علاوه بر این برای فراهم کردن کلیدزنی نرم در این مدار از هیچ سوئیچ اضا...

کلیدهای خلاء به خاطر قدرت قطع بسیار خوب می توانند جریان های فرکانس بالا را نیز قطع کنند که این خاصیت در هنگام قطع جریان فرکانس قدرت می?تواند عواملی را در پی داشته باشد. هنگامی که اتصال ها قبل از صفر طبیعی جریان باز می?شوند خلاء، نمی تواند ولتاژ بازیابی گذرا را تحمل کند و شکست رخ می دهد. جریان های فرکانس بالا در مدار برقرار شده، قطع و وصل های پی در پی به وجود می آید که سبب جرقه زنی های مجدد و اض...

در این مقاله یک مبدل dc-dc دوجهته غیرایزوله جدید معرفی می‌شود. مبدل پیشنهادی می‌تواند تحت شرایط کلیدزنی ولتاژ صفرZVS) ) و فرکانس کلیدزنی ثابت بدون در نظر گرفتن جهت فلوی توان عمل کند. برای ایجاد شرایط ZVS سوئیچ‌ها در این مبدل از یک مدار کمکی بسیار ساده استفاده می‌شود، که شامل یک سیم پیچ تزویج شده به سلف اصلی و یک سلف کمکی است. علاوه بر این برای فراهم کردن کلیدزنی نرم در این مدار از هیچ سوئیچ اضا...

در این تحقیق برای اولین بار رنگدانه پوست سبز گردو به عنوان حساس کننده طبیعی در سلول­های خورشیدی حساس به رنگدانه مبتنی بر نانوذرات TiO2 استفاده شد. رنگدانه‌ها با استفاده از دستگاه فراصوت استخراج و به روش صابونی سازی داغ پالایش شدند. از طیف سنجی­جذبی UV-Vis برای بررسی ویژگی­های جذبی رنگدانه و همچنین از طیف­سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه (FTIR) برای شناسایی گروه­های عاملی در رنگدانه استفاده شد. منحنی...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...