گرافن یک تک لایه اتمی نازک از گرافیت و شبکه¬ای شش وجهی از اتم¬های کربن است، که حالت¬های الکترونیکی کم انرژی آن با فرمیون¬های بدون جرم دیراک توصیف می¬شوند. اگر پهنای یک نوار گرافنی را کاهش دهیم، آن¬گاه نانو نوارهای گرافنی شکل می¬گیرد، که اثرات وابسته به اندازه نانو نوارها روی خواص ترابردی آن¬ها نیز وارد می¬شود. در این پایان¬نامه، اثرات مقیاس نانو را روی خواص فیزیکی نانو نوارهای گرافنی بررسی می¬ک...

در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به مطالعه‏ی ترابرد الکترونی یک سامانه ی چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار می‏کند. همچنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونل زنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بست...

در این پژوهش به مطالعه نظری خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین یک نانوساختار استخوان ماهی شامل دو اتم مغناطیسی در دو انتهایش پرداخته شده است. رسانش الکتریکی این نانو ساختار برای چند جهت گیری متفاوت گشتاورهای مغناطیسی این اتم ها که به دو رسانای غیرمغناطیسی نیمه نامحدود متصل اند، مورد بررسی قرار گرفته است. به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به محاسبه و مقایسه ضریب عبور الکترونی وابسته به اس...

در این مقاله ترابرد الکترونها در ریزنوار یک ابرشبکه نیمرسانا تحت اثر میدان الکتریکی و میدان مغناطیسی که در راستاهای متفاوت بر ابرشبکه اعمال می شوند, مورد بررسی قرار گرفته است. نمودارهای سری زمانی و نمای لیاپانوف با استفاده از روش رانگ- کوتای مرتبه چهارم محاسبه شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که برای مقادیر معینی از پارامترها که وابسته به خصوصیات ابر شبکه و میدانهای اعمال شده بر آن است, الکترو...

از پدیده های جالبی که در الکترونیک مولکولی مورد بررسی قرار می گیرد، اثر میدان مغناطیسی در سامانه های شامل مولکول های حلقوی است. از جمله این سامانه ها مولکول فولرن و حلقه پلی استیلن است. با استفاده از روش هایی مانند تغییر محل اتصال هادی های ورودی و خروجی، اعمال میدان خارجی، تزریق ناخالصی و غیره می توان ویژگی های ترابردی این سامانه ها را کنترل نمود. در این پایان نامه، با استفاده از روش تابع گرین ...

در این رساله مدل های مختلف نیمه کلاسیکی شبیه سازی ترابرد الکترون در قطعات نیمه رسانا مورد توجه قرار گرفت. برای مدل های شیب چگالی، ترابرد انرژی و تصحیح کوانتومی ترابرد انرژی و سوق پخش اسپینی، فرمولبندی مناسب، تجزیه فضایی و برنامه نویسی برای حل عددی معادلات ایجاد گردید.

بهره برداری از تابش تراهرتز مبتنی بر شناخت دقیق چگونگی و پیامدهای بر هم کنش آن با قطعات و ساختارهایی در مقیاس نانو است. در این راستا یکی از مسائل مورد توجه، بررسی ترابرد الکترونی تحت تابش تراهرتز از میان سیم کوانتومی به عنوان یکی از اجزاء آشکارسازهای نوری و ادوات تصویر برداری می باشد. بنابراین، مطالعه ترابرد الکترونی از میان سیم کوانتومی تحت تابش تراهرتز حائز اهمیت خواهد بود. در این تحقیق، یک س...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.