دراین پایان نامه نانوذراتروی اکسید دوپه شده با b وga به روش سولوترمال ونانوذرات سرب سلنید به روش های تجزیه حرارتی سنتز و با تغییر لیگاندهای مختلف بدست آمده اند. نانوذراتبا آنالیز xrd، طیف سنجی uv و pl مشخصه یابی شده، وموفولوژی آن ها توسط تصاویر sem و afm تعیین شد. مورفولوژی ذرات سنتز شده صورت نانوذره بوده که این نانوذراتدر نواحی مربوطه جذب خوبی را نشان می دهند. نانوذراتسنتز شده به روش سونوشیمی ...

استفاده از انرژی خورشید به عنوان یک منبع رایگان، در دسترس و نامحدود، منجر به ساخت سلول های خورشیدی شده است. سلول ­های خورشیدی متداول که با مواد نیمه هادی مانند سیلیسیم یا ژرمانیوم ساخته می شوند علیرغم بازده خوب دارای هزینه بالایی هستند. از این رو نسل جدیدی از سلول های خورشیدی با عنوان سلول خورشیدی رنگدانه ای مورد توجه قرار گرفته است. جذب نور در این سلول ها توسط یک ماده ی رنگی صورت می پذیرد و سب...

در این پژوهش، نانوذرات اکسید تیتانیوم آلاییده با آهن در غلظت مولی Fe/Ti از 1 تا 10% و دمای بازپخت 400 تا oC800 توسط طیف سنجی پراش اشعه x ، تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی (TEM) و طیف سنجی بازتاب پخشی (DRS) مورد مطالعه قرار گرفت. اندازه نانوذرات سنتز شده با استفاده از تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی از 6 تا nm 100 تخمین زده شد. مطالعات اپتیکی طیف سنجی بازتاب پخشی نشان داد که آلای...

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...

در این پژوهش، ابتدا لایه های نازک نیکل به روش rf اسپاترینگ بر روی زیرلایه لام آزمایشگاهی تشکیل گردید و سپس لایه های اسپاتر شده، در دماهای مختلف در محیط اکسیژن پخت شدند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) نوع ساختار را به صورت  نانومیله های به قطر 35  نانومتر نشان  می دهند. با بررسی خواص اپتیکی، محدوده گاف انرژی بینev 87/3-77/3 مشخص شده؛ همچنین زاویه تماس آب با سطح نمونه های پخت نشده، در حدود...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

در این پایان نامه ویژگی های برخی نانولایه ها بر مبنای نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی بعلاوه اوربیتال های موضعی (apw+lo) با کد محاسباتی وین بررسی می شود. نخست در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی تنگستن (w)، دیسپوروسیوم (dy) و agbr مطالعه می شود. دستگاه هایی که دارای اوربیتال های d و f در حال پرشدن می باشند، جزء دستگاه های همبسته قوی به شمار می...

ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن ...

ترابرد الکترونی در ساختار nsn گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله dbdg بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می کنیم. مقایسه با ساختار تمام نرمال نشان می دهد که وابستگی زاویه ای احتمال عبور در حضور همبستگیهای ابررسانایی به شدت مختل می شود. این ...

تابش پرتوها باعث انتقال انرژی به ماده می شود و تعیین انرژی جذب شده در مواد تحت تابش وارتباط کمّی میان پرتوها و اثرات بیولوژی همواره مورد توجه بوده است، که این ارتباط کمی بوسیله تعیین دز جذب ش ده توسط مواد بیان می شود . یکی از روش های دزیمتری استفاده از خواص ترمولومینسانس میباشد. ?-al2o3 ابتدا به عنوان یک tld با حساسیت بالا در دهه 1980 به کار می رفت و بعدها به عنوان یک ماده حساس به osl هم شناخته...