نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و mcd را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر ی...

نتایج نشان می دهند که ترکیب مورد بررسی، سختی قابل ملاحظه ای دارد. ویژگی های الکترونی از جمله ساختار نوارهای انرژی، چگالی حالت ها، چگالی ابرالکترونی و خواص اپتیکی نیز مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج حاصل از بررسی این ویژگی ها نشان می دهد که ترکیب lioh یک عایق با گاف نواری 3/87الکترون ولت می باشد. بررسی چگالی ابرالکترونی نشان می دهد که بین اکسیژن و هیدروژن یک پیوند کووالانسی و بین اتم های لیتیم...

فیلم­های نازک نانو ساختاری اکسید نیکل با روش غوطه وری سل- ژل تهیه شدند. از سه روش (تابش فروسرخ، آون و مایکروفِر) برای خشک کردن فیلم­ها استفاده شد. اثر روش خشک­سازی روی خواص اپتیکی، مولکولی، الکتریکی، ساختاری و مورفولوژی فیلم­ها به ترتیب به­وسیله طیف سنج نوری مریی- فرابنفش، طیف­سنج تبدیل فوریه فروسرخ، اثر هال، پراش پرتو x، میکروسکوپ نیروی اتمی، و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. ثاب...

کلیدزنی اپتیکی نیمرسانا از تابش لیزری کربن دی اکسید در طول موج 6/10 میکرومتر روش ساده تری را نسبت به روش های دیگر تولید تپ های فوق کوتاه پیشنهاد می کند. این روش بر سوار کردن خواص بازتابی و عبوری نیمرسانا توسط کنترل اپتیکی چگالی بار حاملین آزاد قطعه نیمرسانا پایه گذاری شده است.  در این پژوهش، بازتابندگی آینه پلاسمایی برای مواد نیمرسانای  و به هدف بازتابش فروسرخ  به ازای تابش کنترلی nm 616 گزارش ...

در این مقاله ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی(Na2S سدیم سولفید) در فازساختاری اورتورومبیک موردبررسی قرارگرفته است. محاسبات در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل و با استفاده از کد محاسباتی Wien2k انجام‌شده‌اند. نتایج ساختار نواری نشان می‌دهد که سدیم‌سولفید در فاز ساختاری اورتورومبیک دارای یک گاف نواری مستقیم درنقطۀ Γ به‌اندازۀ 2/405 الکترون‌ولت می‌باشد، که بیشترین...

در این تحقیق میکرو و نانوساختار­های ZnO بر روی زیر­لایه کوارتز به روش تبخیر گرمایی (کربوترمال) در کوره رشد داده و عوامل مؤثر همچون زمان ماندگاری، لایه کاتالیست به عنوان مراکز اولیه هسته‌بندی در روند رشد و مورفولوژی، ساختارها و خواص اپتیکی مانند ضریب شکست (n) و گاف اپتیکی (Eg) مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است. مورفولوژی شامل شکل فضائی، ابعاد، چگالی توزیع بر سطح، به وسیله تحلیل عکس­های میکروسکوپ...

به علت کاربرد مطالعات تغییرات گاف انرژی و ضرایب اپتیکی نیمه رساناها در حسگرها، هنوز هم بعد از سال ها بررسی اثر آلایش رساناها مورد توجه محققان قرار می گیرد. در این پایان نامه با استفاده از دستگاه بیضی نگاری خواص اپتیکی لایه های zno خالص و zno آلایش شده با co مورد مطالعه قرار گرفته است تا نحوه ی تغییرات ضرایب اپتیکی در اثر این آلایش و همینطور در اثر تغییرات ضخامت لایه ها بدست آید. دلیل انجام اینک...

در این تحقیق میکرو و نانوساختار­های zno بر روی زیر­لایه کوارتز به روش تبخیر گرمایی (کربوترمال) در کوره رشد داده و عوامل مؤثر همچون زمان ماندگاری، لایه کاتالیست به عنوان مراکز اولیه هسته بندی در روند رشد و مورفولوژی، ساختارها و خواص اپتیکی مانند ضریب شکست (n) و گاف اپتیکی (eg) مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است. مورفولوژی شامل شکل فضائی، ابعاد، چگالی توزیع بر سطح، به وسیله تحلیل عکس­های میکروسکوپ...

در این پژوهش خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، گاف انرژی، چگالی حالت ها وچگالی ابر الکترونی، و نیز خواص اپتیکی از جمله: ضریب شکست، ضریب خاموشی، هدایت اپتیکی و تانسور دی الکتریک فازهای مختلف بلور mgsio3با تقارن های pbca ، pnma و cmcm محاسبه شده است. محاسبات با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چهارچوب نظریه ی تابعی چگالی(dft) انجام شده است. به طور کلّی محاسبات کار حاضر نشان می دهد، با افزایش فشار...

در این پژوهش خواص الکترونی و اپتیکی بلورهای bitio3 در فاز مکعبی و تتراگونال و bi0.5na0.5tio3 (bnt) در فاز تتراگونال مورد بررسی قرار گرفت. به طور کلی محاسبات حاضر نشان می دهد که، با تغییر فاز بلور bitio3 از مکعبی به تتراگونال گاف انرژی افزایش می یابد. از طرفی افزودن ناخالصی گاف انرژی را کاهش داده است. نتایج اپتیکی نشان داد که نوسانات پلاسمونی در انرژی های بالا، برای بلور bitio3 در فاز مکعبی، ...