نتایج جستجو برای: گاف نوار فوتونی
تعداد نتایج: 4582 فیلتر نتایج به سال:
بره ها، بلورهای فوتونی دو بعدی هستند که ضخامت آن ها در جهت عمود بر صفحه تناوب محدود شده است و به دلیل مشاهده گاف فوتونی در این دسته از بلورها و امکان ساخت آن ها با فن-آوری های موجود، مورد توجه قرار گرفته اند. با ایجاد تغییر در ویژگی های ساختاری میله های دی الکتریک موجود در یک بره بلور فوتونی نقص های مختلفی حاصل می شوند. یک گونه از این نقص ها نقص خطی است که از جابجایی و تغییردر ویژگی های ساختا...
In this paper the effect of photonic band gap on the group velocity of reflected pulse from a dielectric slab doped with two-level or three-level atoms has been investigated. It is assumed that the slab is sandwiched between a uniform medium (like vacuum) and a one-dimensional photonic crystal. It is shown that the reflected pulse from the slab doped with two-level (three-level) atoms will be...
با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...
In this paper photonic band gaps of 1D photonic crystal are compared by using transfer matrix method and Fresnel coefficients method. In Fresnel coefficients method, the refractive indices of each layer and incidence light angle to the surface are used for calculating Fresnel coefficients, and then the necessary and sufficient condition for a 100% reflection from the surface of double layer die...
در این مقاله به تحلیل میدان در فیبر براگ بلورفوتونی با هسته تو خالی پرداخته می شود. برای تحلیل خواص جالب انتشاری مدهای te و tm در این نوع فیبربراگ از روش ماتریس انتقال کل استفاده شده که میدان هسته را به میدان آخرین لایه پیوسته ارتباط می دهد. با رسم نمودار β/k (عدد موج طولی به عدد موج کل) برای مدهای انتشاری برحسب λ (طول موج پرتو ورودی به فیبر) نمودار پاشندگی موجبر این ساختار مشخص می شود. همچنین ...
چکیده: بلورهای فوتونی (pcs) متداول، ساختارهای کامپوزیتی با آرایه ای متناوب از مواد با ضریب شکست مختلف می باشند. این آرایه ها می توانند در یک، دو و سه بعد تناوب داشته باشند. به علت این تناوب، پراکندگی براگ چندگانه از سلول های واحد، می تواند باعث ایجاد گاف باند های فوتونی(pbgs) شود. درنتیجه انتشار امواج الکترومغناطیسی در فاصله های فرکانسی خاصی ممنوع می شود. وجود گاف باند ها منجر به پدیده های جال...
لایه های کربن شبه الماس به علت خواص ویژه فیزیکی الکتریکی و مکانیکی و همچنین کاربرد فراوان آن ها در صنعت همواره مورد توجه محققان بوده است. برای غلبه بر محدودیت این لایه ها از جمله کاهش تنش های درونی و افزایش چسبندگی لایه به زیرلایه، لایه های ترکیبی کربن- فلز me-dlc ساخته شدند که دارای خواص منحصر به فردتری مانند سختی بالا ضریب اصطکاک پایین و ... نسبت به dlc میباشند. هدف از انجام این پروژه انباش...
چکیده ندارد.
بلورهای فوتونی ساختارهای متناوبی هستند که به منظور کنترل انتشار نور به طور مصنوعی طراحی شده اند. بسته به نوع مواد تشکیل دهنده بلورهای فوتونی به دو دسته تقسیم می شوند: (1) بلورهای فوتونی دی الکتریک (2) بلورهای فوتونی پاشنده مانند بلورهای فوتونی فلزی، نیمه هادی و مغناطیسی. در یک بلور فوتونی اندرکنش نور با ضریب شکست متناوب بلور باعث ایجاد نواحی مجاز و ممنوعه فرکانسی (گاف باند فوتونی) در گستره طول ...
ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک cis و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ci و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470 درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های soda-lime که مولیبدن ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید