در این پایان نامه، با اعمال میدان الکتریکی وابسته به زمان به یک نقطه کوانتومی شامل ناخالصی تغییرات اشغال ترازهای مختلف در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی شده است. سیستم مورد نظر به صورت یک نقطه کوانتومی دو بعدی در نظر گرفته شده است. در این راستا با استفاده از روش بسط تابع موج و با قطری کردن هامیلتونی، تابع موج و انرژی حامل ها محاسبه و با استفاده از سری دایسون احتمال اشغال ترازها بررسی شده است....

استفاده از انرژی خورشیدی به عنوان انرژی تجدیدپذیر، یکی از بهترین راه حل های ممکن جهت تامین انرژی مورد نیاز بشر است. در حال حاضر چندین فناوری در ساخت سلول های خورشیدی مورد استفاده قرار می­گیرد. در فناوری نسل اول، سلول­ها بر پایه ویفرهای سیلیکونی با ضخامت 300 تا 400 میکرون ساخته شده و ساختار کریستالی دارند. تکنولوژی نسل دوم و سوم بر اساس لایه نشانی نیمه هادی ها روی بستر های شیشه ای، فلزی و یا پلی...

در سالهای اخیر، نیمرساناهای با گاف نوار بزرگ نظیر نیترید گالیم، کربید سیلیسیم و اکسید روی مورد توجه قرار گرفته اند. از یک طرف به دلیل اینکه گاف نوار بزرگ این نیمرساناها، قطعات ساخته شده از این نیمرساناها را قادر می سازد تا دمای کار گسترده تری داشته باشند و در نتیجه می توان سیستم های خنک کننده را که باعث افزایش قیمت این سیستم ها می شود را حذف کرد که علاوه بر کاهش قیمت، کاهش اندازه سیستم را نیز د...

هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...

در این پایان نامه ساختار نواری موجبر بلور فوتونی دو بعدی با شبکه مربعی از استوانه های دی الکتریک با سطح مقطع های دایره ای، بیضی و لوزی با استفاده از روش بسط موج تخت مورد مطالعه قرار داده ایم. اولین هندسه، موجبر بلور فوتونی با استوانه های دی الکتریک از جنس گالیم آرسناید با سطح مقطع دایره ای است که در دو مورد زمینه از جنس هوا و کربن قرار گرفته است. دومین هندسه، موجبر بلور فوتونی با استوانه های دی...

در این پژوهش، ابتدا ضریب جذب و ضریب شکست خطی یک سیستم چهار ترازی مدل m در حضور دو میدان لیزری قوی با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی بررسی شده است. سپس با حل معادله ی شرودینگر، ویژه توابع و ویژه مقادیر نقطه ی کوانتومی استوانه ای گالیم آرسناید با پتانسیل سهموی، محاسبه شده است. با در نظر گرفتن قطبش نور در دو جهت x و z، اثرات ابعاد نقاط کوانتومی و همچنین عدم تنظیمی فرکانس لیزرهای کنترل بررسی شده اس...

آشکار ساز نوری فلز-نیمه رسانا-فلز (msm) در سیستم های مخابرات نوری مدرن به کار می رود. به دلیل ساختار هندسی تخت، این آشکار ساز دارای ظرفیت خازنی پایین تر نسبت به دیگر انواع آشکار ساز ها می باشد و این منجر به زمان تاخیر کوچکتر و در نتیجه، دارای پهنای باند بزرگتری می باشد. در این پایان نامه، رفتار آشکار ساز نوری با استفاده از معادلات پیوستگی در یک بعد، برای هر دو حالت پایا و دینامیک (وابسته به زما...

در کار حاضر، ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ترکیب گالیم بیسموت در فازهای تحت فشار سزیم‌کلرید و سنگ‌نمکی بررسی شده است. محاسبات ابتدا به‌ساکن در چارچوب نظریة تابعی‌چگالی و با تکنیک شبه‌پتانسیل، با استفاده از بستة محاسباتی کوانتوم اسپرسو انجام شده است. محاسبات به‌صورت نسبیتی همراه با برهم‌کنش اسپین ـ مدار صورت گرفته است. نتایج به‌دست آمده بیانگر این است که گالیم بیسموت در این فازها، فلز است...

در این تحقیق آلیاژهای حافظه پذیر فرومغناطیسx= 0, 2 ,4) ni47mn40sn13-xgax) به روش آلیاژسازی مکانیکی ساخته شدند. عملیات آلیاژسازی مکانیکی به مدت 20 ساعت انجام گرفت و از نمونه ها الگوی پراش اشعه¬ی ایکس گرفته شد. الگوی پراش اشعه ایکس نشان داد که عملیات آلیاژسازی به مدت 20 ساعت کافی است ولی به منظورتک فاز شدن و نظم بلوری بهتر، نمونه¬ها در دمای 850 درجه سانتی گراد بازپخت شدند. به منظور جلوگیری از اکس...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...