امروزه ابعاد قطعات و تراشه های الکترونیکی وارد حوزه نانو مقیاس شده است. ترانزیستورهای فیلم نازک با مواد آلی (otft) با گیت دی الکتریک بسیار نازک هیبریدی مواد آلی و معدنی درکار حاضر دارای خواص الکتریکی خوب از جمله ثابت دی الکتریک بالا و چگالی جریان نشتی کم در ضخامت کمتر از 40 نانومتر هستند.پژوهشگران دریافتند که گیت های دی الکتریک پلیمر، دارای ثابت دی الکتریک پایین وچگالی جریان نشتی عبوری بالاهستن...

چکیده ندارد.

این رساله با مروری بر نظریه ی پراکندگی امواج از سیستم های استوانه ای آغاز گشته و پیرو آن معادلات حاکم بر فرآیند پراکندگی امواج بررسی می گردد. پس از آن با معرفی سیستم های متشکل از آنتن های پلاسمایی روابط لازم جهت بررسی خواص الکترومغناطیسی و الکترودینامیکی آنتن های پلاسمایی که شامل معادلات میدان و معرفی تانسور گذردهی آن ها می باشد‏، ارائه خواهد شد. در ادامه فرآیند پراکندگی امواج الکترومغناطیسی از...

هدف اصلی از انجام این پژوهش تولید گیت دی الکتریک جایگزین برای اکسید سیلیکون در قطعات ترانزیستورهای اثر میدانی است. یک رویکرد جدید استفاده از مواد هیبریدی آلی- غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک است. در این بین، این واقعیت که مواد از اتم های گسسته ساخته شده اند ممکن است توانایی ما را در ادامه ی کوچک تر کردن ابعاد به محدوده نانومتر محدود سازد چرا که در ابعاد اتمی اثرات کوانتومی خود را آشکار می سازن...

درجه بندی محصولات کشاورزی همواره موضوع تحقیق دانشمندان بوده است. یکی از زمینه های مورد مطالعه درجه بندی میوه براساس میزان رسیدگی آن است. روش های مختلفی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه به کار گرفته شده است که بعضی از این روش ها مخرب و برخی دیگر غیر مخرب هستند. در این تحقیق از روش غیرمخرب خازنی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه ی موز استفاده شده است. رابطه میزان رسیدگی با ثابت دی الکتریک میوه در بسامد یک...

برخی نتایج از قبیل تونل زنی، جریان نشتی و نفوذ اتم از میان گیت دی الکتریک فیلم فرا نازک sio2 را بعنوان یک دی الکتریک خوب برای صنعت آینده و وسایل الکترونیکی در تکنولوژی سرامیک تهدید می کند . یک سری از آزمایشات سنتز اکسید هافنیوم در دمای پایین به روش سل-ژل انجام شد. ویژگی های نانو ساختاری اکسید هافنیوم با اندازه بلورک 5 تا 40 نانومتر بررسی شد.نتایج بدست آمده نشان داد که پتانسیل اکسید هافنیوم نه ت...

در این مقاله آنتن صفحه فرنل بالایه دی الکتریک و حلقه های فلزی چاپ شده روی آن در حالت فرستندگی و جریان های معادل مغناطیسی برای میدانهای تابیده شده از تغذیه میدان دور پترن و بهره این آنتن بررسی و میدان تغذیه با مدل مناسبی تقریب زده شده است در این مدل تغذیه بدون مولفه پلاریزاسیون متقابل با بهره متغیر در نظر گرفته شده است این بررسی با نتیجه تجربی ساخت چند نوع آنتن مقایسه شده است .

حلالهای آروماتیک حاوی نمکهای ان بوتیل آمین دارای پایداری ترموشیمیایی کافی،پتانسیل پلاریزاسیون گسترده،نقطه جوش بالا و ضریب دی الکتریک قابل قبول برای پوشش دادن الکترولیتی یونهای فلزی فعال هستند. در این مقاله سینتیک جوانه زنی و رشد رسوب لایه نازک فلزی از کمپلکس ان بوتیل آمین حاوی فلز مس در محلول پایه نفتالین به شیوه ولتامتری چرخه ای ، کرنوآمپرمتری و بیناب نگاری امپدانس الکتروشیمیایی بررسی شده است....

اکسید لانتانیم ، la2o3، ترکیب شیمیایی است که شامل عنصر لانتانیم خاک های نادر و اکسیژن می باشد. اکسید لانتانیم در بیشترین گاف انرژی را در بین اکسیدهای فلزی خاک های نادر دارد (ev 3/4). این ترکیب، کمترین انرژی شبکه و بیشترین ثابت دی الکتریک را در بین اکسیدهای فلزی خاک های نادر دارد. این خصوصیات باعث می شود که از این ترکیب به عنوان لایه های دی الکتریک در وسایل مختلف، سنسورهای گاز و پوشش های محافظت ...

بلورهای نوری محیطی با خواص نوری متناوب هستند که از لایه های مواد دی الکتریک متناوب به صورت یک، دو و یا سه بعدی تشکیل شده اند. یکی از خواص مهم این ساختارها، کنترل عبور نور به علت وجود باند ممنوعه نوری و نیز وجود نقص هایی در آن ها است. نقص در بلورهای نوری در اثر تغییراتی در ساختار دی الکتریک های بلور است که خود می تواند یک، دو و یا سه بعدی باشد. اگر در بلورهای نوری نمودار فرکانس بر حسب بردار مو...