نتایج جستجو برای: nano switches
تعداد نتایج: 68068 فیلتر نتایج به سال:
We coherently probe a quantum dot that is strongly coupled to a photonic crystal nano-cavity by scattering of a resonant laser beam. The coupled system’s response is highly nonlinear as the quantum dot saturates with nearly one photon per cavity lifetime. This system enables large amplitude and phase shifts of a signal beam via a control beam, both at single photon levels. We demonstrate photon...
This work demonstrates the feasibility to obtain copper nanoelectromechanical (NEMS) relays using a commercial complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology (ST 65 nm) following an intra CMOS-MEMS approach. We report experimental demonstration of contact-mode nano-electromechanical switches obtaining low operating voltage (5.5 V), good ION/IOFF (103) ratio, abrupt subthreshold swing...
طراحی و سنتز پلیمر های کئوردینانسیونی متخلخل یا چارچوب های فلز- آلی به علت ساختارهای جالب این ترکیبات و قابلیت های کاربردی آنها برای ذخیره و جداسازی گاز، کاتالیز، تشخیص و جداسازی انانتیومرها، خواص مغناطیسی، تنظیم لومینسانس و غیره توجه زیادی را به خود جلب کرده است. اخیرا مشخص شده است که برخی لیگاندهای آلی مسطح صلب مثل ایمیدازول-5،4-دی کربوکسیلیک اسید (h3idc) برای تشکیل چارچوب های فلز- آلی مناسب ...
Multilevel inverters have been developed due to limitations of the conventional two-level voltage source inverters (VSIs). Most of the topologies of multilevel inverters that have been presented in the literature are based on the sharing of the rated voltage between the switches so that the switches with lower voltage ratings can be used. In these topologies, the current rating of all of the sw...
An active optical access network architecture with our newly developed PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti)O3) high-speed optical switch is introduced, with a view to realizing the nextgeneration high capacity scalable access network. This system is developed based on the latest IEEE standard of PON (10G-EPON; IEEE802.3av) in consideration of the coordination with future high capacity PON. PLZT high-speed o...
Substantial increase in gate and sub-threshold leakage of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices is making it extremely challenging to achieve energy-efficient designs while continuing their scaling at the same pace as in the past few decades. Designers constantly sacrifice higher levels of performance to limit the ever-increasing leakage power consumption. One possible solution...
In this paper we discuss the potential of emerging spintorque devices for computing applications. Recent proposals for spinbased computing schemes may be differentiated as ‘all-spin’ vs. hybrid, programmable vs. fixed, and, Boolean vs. non-Boolean. Allspin logic-styles may offer high area-density due to small form-factor of nano-magnetic devices. However, circuit and system-level design techniq...
در این رساله، طراحی، اجراء و مدلسازی فرآیند nano-edm مورد بررسی و تحقیق قرار گرفت. به منظور تولید نانو- ابزار مناسب برای فرآیند nano-edm یک دستگاه اتوماتیک طراحی و ساخته شد که با استفاده از آن، تاثیر متغیرهای فرآیند ساخت بر خصوصیات نانو- ابزار مورد تحقیق قرار گرفت. با شناسایی سطوح بهینه متغیرهای فرآیند ساخت به روش تاگوچی، نانو- ابزارهایی با شعاع نوک حدود 10 نانومتر و ضریب جانبی (نسبت طول به شعا...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید