در این پروژه یک سری جدید از لیگاندهای آمینوفنولی با استفاده از آمین های مختلفی مانند آمینواسیدهای گلاسین (hlgdc)، سیستئین (hlcyc)، پیرولین (hlpro) و همچنین با آمینهایی مانند متیل گلایسین (hlmg، hlmgd)، متیل اتانول آمین (hlmae)، آمینواتیل آمینواتانول (hlae)، تتراهیدروفورفوریل آمین (hlthf) سنتز و شناسایی شدند. با استفاده از این لیگاندها، سه کمپلکس دوهسته ای fe2(lae)2، fe2(lmae)2 و fe2(lthf)3، و پ...

اخیرا نیمه رساناهایی که در غلظت های پایین با فلزات انتقالی ترکیب شده اند، و نیمه رساناهای مغناطیسی رقیق شده نامیده می شوند، بدلیل دارا بودن خاصیت فرومغناطیسی در دمای اتاق مورد توجه قرار گرفته اند. در این تحقیق خواص مغناطیسی یکی از مواد با عنوانfexti1-xo2 که در آن x از صفر تا 0/5 می باشد را بررسی می کنیم. طیف موزبائر نمونه های مربوطه نشان می دهد که در این ماده fe جایگزین اتم های ti می شود و دو ی...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و ارتعاشی فاز مکعبی 3bahfo به روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با دو تقریب lda و gga  مورد بررسی قرار می گیرند. اجرای محاسبات در بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو نشان می دهد که ساختار نواری 3bahfo شامل یک گاف نواری مستقیم ev 67/3 و ev 88/3 در نقطه ی g (مرکز شبکه وارون) برای تقریب های lda و gga  است که الکترون های ظرفیت اتم ba در پایین ترین نوارها...

در مقاله حاضر، با استفاده از نظریه تابعی چگالی به بررسی اصول اولیه تأثیر آرایش دهی نانولوله کربنی (0و8) توسط اتم نیکل بر خواص حسگری آن در معرض مولکول متان پرداخته شده است. ابتدا تأثیر جذب متان بر نانولوله های خالص بررسی شده و نشان داده شده است که در غیاب نیکل، این نانولوله ها حسگر ضعیفی با انرژی جذب بسیار کم برای گاز متان هستند. سپس به بررسی جذب مولکول متان بر نانولوله کربنی (0و8) آرایش یافته ب...