در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

یکی از فرض هایی که به منظور ساده سازی روابط در بررسی اپتیکی سلول های خورشیدی آلی می شود این است که فقط تابش عمودی به سطح سلول را در نظر می گیرند. تحت تابش عمود بازتاب کمتری رخ می دهد. از اینرو تصور می شود که بالاترین بازده در این زاویه تابش امکان پذیر است اما از طرفی در تابش غیر عمود، عملا ضخامت موثر برای جذب نور افزایش می یابد. تقابل این دو اثر تعیین می کند که بازده سلول افزایش می یابد یا کاهش...

این روزها تکنولوژی قطعات الکترونیک قدرت در حال تحول شگرف می باشد و حاصل آن igbt و mosfet های قدرت می باشد که در حال حاضر بهترین قطعات سوئیچ در اینورترها هستند. اینورتر های جدید و قویتر سه سطحی که در آنها از igbt و یا mosfet های قدرت استفاده شده است، به منظور جایگزینی با اینورتر های مرسوم طراحی و ساخته می شوند. در این تحقیق طراحی و توسعه یک اینورتر سه سطحی با استفاده از روش کنترل فرکانسی ” مدولا...

در این مقاله یک هیدروفن با استفاده از ترانزیستور گیت معلق دندانه شانه ای در فرکانس‌های پایین طراحی و شبیه‌سازی شده است. مکانیزم عملکرد این مبدل بر اساس تغییر خازن گیت-سورس در ترانزیستور ماسفت است. گیت ترانزیستور توسط دو میله به صورت معلق بالای کانال ترانزیستور قرار گرفته است. در پاسخ به موج آکوستیکی ورودی، گیت ترانزیستور دچار خمش شده و منجر به تغییر ظرفیت خازن گیت-سورس می‌شود. در نتیجه موج آکوس...

ما در این مقاله با استفاده از یک مدل بستگی قوی و روش ماتریس انتقال، اثر تغییر طول مولکول و قدرت پیوندگاه مولکول- نانو لوله کربن ( cnt ) را بر گسیل الکترون از سیستم cnt / مولکول منفرد/ cnt به صورت عددی بررسی می کنیم. با پلی استیلن در فاز ترانس ( trans -pa ) به عنوان مولکول، خواص رسانندگی سیستم را در چارچوب روش لانداور ( landauer ) مطالعه می کنیم. محاسبات ما نشان می دهند که در این ساختارها، رسانن...

چکیده پایان نامه سازمان همکاری شانگهای که در فضای پس از پایان نظام دوقطبی و با اهداف مختلف به وجود آمد امروزه با تهدیدات امنیتی منطقه ای و فرامنطقه ای روبرو است. سازمانی که از اعضای ناهمگون تشکیل شده و برای پاسخ به پرسش اصلی این پژوهش که سازمان همکاری شانگهای پس از گذشت بیش از یک دهه تا چه حدودی توانسته اهداف امنیتی اعضاء را برآورده سازد، فرضیه ذیل طرح شده است: سازمان همکاری شانگهای در تحقق اه...

در این پایان نامه به بررسی مفصل تأثیر مقاومت بدنه بر مکانیسم شکست و ولتاژ شکست حالت روشن ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق پرداخته شده است. همچنین در این پایان نامه به بررسی و مقایسه ی فرآیند شکست ترانزیستور ماسفت نفوذی افقی با اتصال بدنه ی معمولی و اتصال بدنه ی لوزی شکل، با بررسی نتایج عملی موجود و انجام شبیه سازی، پرداخته شده است.

در این تحقیق لایه azo (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس azo/p-si و نیزلایه azo تحت تابش نور مرﺋی و فرابنفش قبل و پس از پخت است . پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه ، از طیف پراش اشعهx...

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...