ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...

در دهه های اخیر با افزایش اهمیت مسئل? بهره وری اقتصادی، بسیاری از صنایع برقی که قبلاً تحت کنترل و انحصار دولت ها در سراسر دنیا بوده اند، دچار تجدید ساختار شده اند. اکثر اقتصاددانان بر این باورند که اجرای این اصلاحات در این صنعت در نهایت به نفع مصرف کنندگان از آن می باشد. با وجود وارد شدن مباحث اقتصادی در بهره برداری از شبکه برق، اما هم اکنون ارزیابی شاخص قابلیت عبور تحت روندی معین از سوی بهره بر...

فرایند درهم­کردن نخ­های رشته ای به وسیله جت هوا در سال­های اخیر به دلیل هزینه تولید کمتر، کاربردهای متنوع محصول تولیدی و کارایی بهتر جت درهم­کردن گسترش زیادی یافته است. به دلیل اهمیت فرایند درهم­کردن، پژوهشگران بسیاری روی این روش کار کرده و نتایج زیادی به­دست آمده است. در این فرایند به رشته­های باز و موازی نخ یکسره تغییر شکل­یافته یا شکل­نیافته پیوستگی بین رشته­های متناوب و موقت داده می­شود. نو...

چهار آزمایش طراحی شد و به ترتیب انجام گرفت. در آزمایش اول علوفه ذرت درشت و ریز در مقیاس آزمایشگاهی به همراه چهار درصد روغن سویا یا فاقد آن، سیلو شدند. افزودن روغن سویا به ذرت سیلویی درشت یا ریز سبب شد ph محتویات سیلو افزابش یابد. در آزمایش دوم ویژگی های تجزیه پذیری ذرت سیلویی مشخص شد. در آزمایش سوم برای تعیین روند هضم در شکمبه گوسفند، از چهار راس میش دو ساله فیستوله دار در قالب یک طرح گردشی چها...

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

به دلیل نیاز تراشه ها به اتصالات نوری ترانزیستور لیزر با قابلیت ارسال سیگنال نوری والکتریکی به طور همزمان در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفتهاست به این دلیل در این پروژه سعی شده است ابتدا روند پیدایش ترانزیستور لیزر بیان شد ساختار تکنولوژی ساخت و پارامترهای کاری از اعم از نوری والکتریکی برای یک ترازیستور لیزر یا طول های کاواک 150 و 400 مورد بررسی قرار می گیرد. سپس چگونگی توید نور در بیس ...