در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

در این مقاله خواص الکترونیکی و نوری پروسکایتهای آلی، در فاز مکعبی ، برای ساختارهای متیل آمونیوم و فورمامیدینیوم سرب یدید ، برومید و کلرید براساس نظریه تابعی چگال و با استفاده از نرم افزار quantum espresso و با انرزی جنبشی قطع 408 الکترون ولت و شبه پتانسیل هایی با تابع PBE و تقریب GGA مورد استفاده قرار گرفته است. در این راستا، ثابت شبکه ، ساختار الکترونیکی ، طیف جذبی ، رسانندگی اپتیکی ، ضریب شکس...

چکیده - در این مقاله یکی از جدیدترین فرآیندهای ماشینکاری تحت عنوان ماشینکاری تخلیه الکتریکی خشک که از مهمترین تفاوت های آن در مقایسه با تخلیه الکتریکی معمولی استفاده از دی الکتریک گازی و سرعت دوران الکترود ابزار می باشد، مورد بررسی قرار گرفته است. با در نظر گرفتن ولتاژ دهانه ماشینکاری، جریان، زمان روشنی و خاموشی پالس، فشار گاز دی الکتریک و سرعت دوران الکترود به عنوان متغیرهای ورودی مؤثر در فرآی...

در این پایان نامه، با معرفی ساختارهای تولید امواج الکترومغناطیسی (آنتن ها) بررسی انواع آن ها همچون آنتن های پلاسمایی مروری بر فرمالیزم ریاضی حاکم بر الکترودینامیک محیط های پلاسما خواهیم داشت و پیرو آن آنالیز ریاضی حاکم بر فرآیندهای پراکندگی از سیستم های پلاسمایی با تقارن استوانه ای مورد تجزیه- تحلیل قرار خواهد گرفت. در ادامه با طرح یک مثال نمونه از پراکندگی امواج الکترومغناطیس از یک آنتن پلاسما...

سیمای ماکروسکوپیکی میدان الکترومغناطیسی کوانتومی اثر کازیمیر می باشد. این نیرو در اثر تغییر در انرژی نقطه صفر میدان الکترومغناطیسی به وجود می آید که خود این تغییر نیز ناشی از حضور مرزهای فیزیکی می باشد. در این پایان نامه ابتدا تاریخچه اثر کازیمیر را مرور می کنیم که نیروی بین دو صفحه رسانای ایده ال، موازی و بدون بار می باشد. سپس برهم کنش لیفشیتز را که حالت کلی تری نسبت به برهم کنش کازیمیر می باش...

اگر دی الکتریک بین دو ابررسانای اتصال جوزفسون همگن باشد، معادله حاکم بر این سیستم، معادله سینوسی گوردون است. در این مقاله حالتی که در آن دی الکتریک بین دو ابر رسانا ناهمگن و تابع مکان باشد را مورد بررسی قرار می دهیم. سپس پاسخ تحلیلی و عددی آن را به دست می آوریم و آن را تجزیه و تحلیل کرده و رفتار ذره را به کمک پاسخ سالیتونی شبیه سازی می کنیم و سرانجام نشان می دهیم که این پاسخ جایگزیده از قانون د...

محرک‌های پلاسمایی آیرودینامیک، قابلیت خود را به ­عنوان یک ابزار کنترل جریان در کاربردهای متفاوت، نشان داده‌است. مطالعه حاضر نتایج یک طرح ابتکاری را ارائه می دهد که در آن از یک منبع تغذیه برای تولید جریان ولتاژ بالا (بیش از 8 کیلو ولت) و در بسامد بالا (بیش از 10 کیلوهرتز) استفاده شد. سپس این جریان برای یونیزه کردن هوای راکد در فشار اتمسفری در سطح یک قطعه محرک پلاسمایی به ­کار برده شد. پیکربندی م...

In this paper, we studied the optical behavior of SiO2 thin films prepared via sol-gel route using spin coating deposition from tetraethylorthosilicate (TEOS) as precursor. Thin films were annealed at different temperatures (400-600oC). Absorption edge and band gap of thin layers were measured using UV-Vis spectrophotometery. Optical refractive index and dielectric constant were measured by ell...