در این مقاله یک روش جدید برای آشکارسازی چشمی مقادیر بسیار کم اورانیوم (vi) در نمونه های آبی معرفی شده است. این روش شامل دو مرحله پیش تغلیظ اورانیوم با استفاده از یک سیلیکای نانومتخلخل اصلاح شده با گروه آمین و سپس شناسایی آن به وسیله کمپلکس رنگی حاصل از واکنش معرف رنگزای 2- (5- برمو 2-پیریدیل آزو)- 5-دی اتیل آمینوفنول (br-padap) است. عوامل مؤثر بر پیش تغلیظ و تشکیل کمپلکس رنگی اورانیوم (vi) بررس...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

مطالعه حاضر بر روی حذف هم­زمان یون­های نیکل (II) و کبالت (II) از محلول­های آبی با استفاده از جذب سطحی آنها به کمک امواج فراصوت بر روی گرافن نانومتخلخل کربوکسیله (G-COOH) متمرکز می­باشد. گرافن نانومتخلخل به روش رسوب نشانی بخار شیمیایی سنتز شد،  سپس با گروه های کربوکسیلی عامل دار شد و در نهایت با تکنیک­های SEM، XRD، EDX، BET و FT-IR مشخصه یابی شد. تاثیر متغیرهایی نظیر pH، زمان فراصوت، مقدار جاذب ...

ترکیبات نیتروژن دار از جمله نیترات یکی از مهمترین آلاینده های آب های شرب محسوب می شوند که راهیابی بیش از اندازه این ترکیبات به آب مخاطرات زیست محیطی و بهداشتی متعددی را به دنبال خواهد داشت. در حال حاضر از میان تمامی روش های موجود در حذف نیترات، روش جذب بسیار مورد توجه قرار گرفته است. ازطرف دیگر در دو دهه اخیر ساختارهای نانومتخلخل سیلیسی به سبب دارا بودن ویژگی های منحصر به فرد در زمینه های بسیار...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های iii-v جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

تقریب پتانسیل همدوس برای مطالعه اثر حاملهای بار روی دمای کوری، tc، نیمه رساناهایی مانند euo و eus استفاده شده است . ما از تئوری میدان میانگین تعمیم یافته برای افت و خیز -fاسپینها. از مدل ونسووسکی برای بررسی کنش الکترونهای رسانش با اسپینهای جایگزیده استفاده می کنیم. تغییر در tc در نتیجه جفت شدگی غیر مستقیم اسپینهای جایگزیده از طریق الکترونهای رسانش ، بصورت یک تابع از چگالی حاملها تعیین می شود. ن...

در این رساله، اصلاح سطح فولاد زنگ نزن (ss) با هدف بهبود ویژگی های ساختاری آن و به کارگیری آن به عنوان یک بستر کاتالیستی مناسب در برخی سامانه های الکتروشیمیایی انجام گرفت. در این راستا، لایه اکسید آندی نانومتخلخل و کاتالیست های نانوساختار یک یا چندفلزی روی سطح ss با استفاده از روش های الکتروشیمیایی به طور مستقیم ایجاد شدند و سپس ریخت شناسی، ساختار و مشخصات الکتروشیمیایی الکترود/کاتالیست حاصل با ...

با توجه به کاربردهای وسیع نیمرسانای کادمیوم سولفید (cds)، در این تحقیق به رشد لایه های نانوساختار این ماده بر روی زیرلایه شیشه به روش رسوب در حمام شیمیایی (cbd) پرداخته و تاثیر پارامترهای گوناگون از جمله مدت زمان رشد و ph محلول را بر خواص نمونه ها مطالعه نموده ایم. همچنین تاثیر فرآیند حک مرطوب شیمیایی و مولاریته و دمای اسید در محلولِ حک نیز بر خواص فیزیکی نمونه های رشد یافته مورد بررسی قرار گرفت...