نتایج جستجو برای: مدارات مجتمع آنالوگ

تعداد نتایج: 4840  

شاهرخی, محمدجواد, صدر منوچهری نائینی, حمیدرضا,

مقدمه: سیستم‌های مهندسی پزشکی امروزه نقش بسیار قابل توجهی در تشخیص بیماری‌های مختلف دارند. یکی از کاربردی‌ترین دستگاه‌های مهندسی پزشکی، دستگاه‌های دریافت و ثبت سیگنال‌های قلبی از قبیل دستگاه‌های الکتروکاردیوگراف است. استفاده از دستگاه های هولترمانیتورینگ را می‌توان یکی از روش‌های اساسی الکتروکاردیوگراف در طی فعالیت‌های روزانه دانست. در این مقاله طراحی و ساخت دستگاه هولترمانیتورینگ بر پایۀ میکرو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

از زمانی که سیستمهای پردازشگر دیجیتال طراحی شده اند، این مسئله نیز به همراه آن مطرح شد که چگونه می توان یک سیگنال آنالوگ را به یک سیستم دیجیتال وارد کرد و به طور متقابل ، چگونه باید سیگنالهای دیجیتال خارج شده از سیستمهای دیجیتال را به دنیای آنالوگ تحویل داد. در اینجا بود که ضرورت ساخت مبدلهای آنالوگ به دیجیتال و دیجیتال به آنالوگ احساس شد و انواع مختلفی از مبدلهای فوق معرفی شد. ارائه طرحهای جدی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی و مهندسی 1389

امروزه با پیشرفت فن آوری ساخت تراشه، آزمون هسته های مختلف جاسازی شده در تراشه به صورت یک مساله اساسی مطرح شده است. به رغم پیشرفت آزمون هسته های دیجیتال روی تراشه، مساله آزمون هسته های آنالوگ همچنان یکی از مسائل مهم در این زمینه می باشد. از مشکلات آزمون هسته های آنالوگ می توان به پرهزینه بودن تولید سیگنال آزمون لازم، حساسیت مدارات آنالوگ نسبت به نویز و اثرات بارگذاری اشاره کرد. در این زمینه روش ...

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
مهسا مهراد دانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسی میثم زارعی دانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسی

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

مدارهای مجتمع فرکانس بالا برای همه وسایل الکترونیکی قابل حمل که در ارتباطات بی سیم استفاده می شوند، لازم هستند. مدارات فرکانس بالای اولیه با استفاده از تکنولوژی های sige یا gaas ، به دلیل خواص فرکانس بالای فوق العاده آنها،پیاده سازی می شدند.اخیرا، سایز ترانزیستور mos در تکنولوژی cmos به طور مداوم در حال کم شدن بوده است تا خواص فرکانس بالای آن را بهبود دهد؛ که باعث شده پروسه های cmos برای استفاد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1391

در این پایان نامه ابتدا شبکه اتصال داخلی آرایه های آنالوگ برنامه پذیر میدانی (fpaas) بررسی و برای یک fpaa مورد نظر طراحی شده است. ابتدا انواع و ساختار مدارهای منطقی برنامه پذیر و سپس ساختار fpaa و نمونه های پژوهشی و تجاری پیشین بررسی شده، پس از آن معماری شبکه اتصال، سویچ و نهایتاً آرایه sram طراحی شده است. در این پروژه، ترکیب شبکه های محلی، سراسری و تقاطعی به عنوان معماری مناسب برای شبکه اتصال د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - پژوهشکده الکترونیک 1391

شبکه با توپولوژی linear، شامل 4 نرون و هر نرون دارای 3 وزن آنالوگ مرتبط با ورودی 3-بعدی است. ورودی و خروجی شبکه بصورت ولتاژ می باشد که موجب سادگی در اتصال به سایر ادوات می گردد. برای پیاده سازی این شبکه یک مدار محاسبه فاصله(dmc) برای سنجش میزان شباهت نرون به دیتای ورودی آنالوگ، بر اساس یک راهکار جدید ارائه شده است. برای یافتن نرون برنده از ساختار(wta) و همچنین برای به روز رسانی وزن های نرون برن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1377

در این پایان نامه، به نحوه طراحی و پیاده سازی یک پردازنده با کاربرد خاص (asuc) می پردازیم که بر روی بر آنالوگ ، در سیستم جمع آوری داده نیروگاه، بکار گرفته می شود. از دید کلی این پردازنده متشکل از دو بخش است : یکی بخش کنترل کننده eeprom که زمانبدی لازم جهت ارتباط با eeprom را فراهم می کند و دیگری بخش اصلی پردازنده که علاوه بر آدرس دهی کانالها و تنظیم گین و افست مناسب برای هر یک از آنها، عمل مقای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1391

با توجه به پیشرفت روز افزون مدارات مجتمع و اهمیت بحث تاخیر زمانی در مدارات ابعاد نانو ، تلاش برای دستیابی به مداراتی با سرعت بالاتر مورد توجه قرار گرفت با بررسی ساختار داخلی مدارات مجتمع دیده می شود بعد از ایجاد ترانزیستور ها با سرعت بالا تاخیر اتصالات به عنوان یک عامل محدود کننده سرعت نمود پیدا کرد به نحوی که تاخیر ناشی از مقاومت سیم های اتصالات داخلی بیش از تاخیر گیت ترانزیستور ها تعین کننده ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید