نتایج جستجو برای: نانوالکترونیک
تعداد نتایج: 73 فیلتر نتایج به سال:
چکیده ندارد.
بررسی خواص الکترونیکی و آنالیز ساختاری این مشتق از خانواده 1,2-dithienylcyclopentene وجود 3 حالت مشخص در این مولکول را اثبات نمود و نشان داد که خواص الکترونی این 3 حالت با یکدیگر متفاوت می باشد این تفاوت در خواص الکترونی از جمله شکاف بین باند هدایت و باند ظرفیت، قطبش پذیری و ... تفاوت در هدایت الکتریکی را به همراه داشت. همچنین محاسبات نشان داد که هر 3 حالت این ملکول، خواص سوئیچ بودن را از خود ن...
در این تحقیق نانوذرات اکسید تنگستن به روش نانوریخته گری تهیه گردید. به این منظور ابتدا یک قالب مزوپور سیلیکایی سنتز شده و پیش ماده اکسید تنگستن در آن تزریق شد و در دمای ?c570 کلسینه گردید. پس از تکلیس قالب سیلیکایی به کمک شستشو با اسید هیدروفلوریدریک حذف گردید و نانوپودر خالص اکسید تنگستن بدست آمد. نانوپودر سنتز شده با استفاده از میدان الکتریکی متناوب در بین الکترودهای شانه ای لایه نشانی گردید ...
مطالعه ی نانولوله های کربنی در میدان های الکتریکی به علت امکان کاربرد آن ها در مدارهای نانوالکترونیک از اهمیت خاصی برخوردار است. در این تحقیق اثر میدان الکتریکی یکنواخت روی نانولوله ی کربنی از نوع زیگزاگ تک دیواره (swcnt) در دمای 25 درجه سلسیوس و فشار یک اتمسفر بررسی شده است. در بخش اول طول نانولوله 10 و قطر آن 109/3 آنگستروم می باشد که میدان الکتریکی، موازی محور طولی نانولوله بر حسب a.u. 4-10 ...
شکل¬گیری کربن در ستاره¬ها نتیجه برخورد سه مرحله¬ای ذرات آلفا است یعنی در جایی که ستارگان، هسته هلیوم را با فرآیند سه¬گانه آلفا به کربن تبدیل می¬کنند. این فرآیند عامل به¬وجود آورنده تمام عناصر نسبتاً سنگین عالم است. عنصر کربن با قرار گرفتن در ساختارهای هندسی مختلف، رفتارهای غیر¬معمول و پیچیده¬ای را از خود نشان می¬دهد. یکی از این ساختارها که مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است، گرافین نام دارد. این...
پروتوپورفیرین ix از جمله مولکولهایی است که در نقل و انتقال الکترونی غشای داخلی میتوکندری شرکت دارند. ساختار این مولکول به گونه ای است که می توان با اتصال زنجیره های طویل هیدروکربنی به گروههای کربوکسیل عامل پروپیونیک اسید به مولکول دوگانه دوست دست یافت بر همین اساس حصول تک لایه ای خود تجمع از این مولکول امکان پذیر خواهد بود از طرف دیگر پدیده های خود تجمعی و ایجاد تک لایه از اساسی ترین نقطه ن...
امروزه استفاده گسترده ای از تکنولوژی cmos در طراحی و پیاده سازی مدارهای الکترونیکی می شود. به دلیل سرعت چشمگیر افزایش تعداد ترانزیستورها درون تراشه، کاهش ابعاد ترانزیستور ضروری می باشد.اما در این تکنولوژی چنین کاهشی در مقیاس زیرمیکرون به سادگی امکان پذیر نمی باشد.اتوماتای سلولی کوانتومی(qca) روشی جدید جهت طراحی مدارها بوده که قابلیت های فراوانی داشته و در زمینه نانوالکترونیک کارآمد می باشد. در ...
در این تحقیق رسانش الکتریکی و چگالی حالت های چندین نانوساختار در رهیافت بستگی قوی به صورت کاملاً تحلیلی مطالعه شده است. در ابتدا نانوساختار شانه-مانند منظم و نامنظم که متصل به دو نیم سیم کوانتومی است در نظر گرفته شده و با استفاده از بازبهنجارش انرژی این دستگاه شانه-مانند به یک زنجیر ساده تقلیل یافته است. در دستگاه شانه-مانند منظم تأثیر عواملی همچون طول دستگاه، تعداد دندانه ها و انرژی جایگاهی دند...
موضوع ترابرد الکتریکی، ترموالکتریکی و ترمومغناطیسی یکی از موضوعات مهم در علم نانوترموالکترونیک می باشد. با دانستن هر چه بیشتر خواص ترمومغناطیسی مواد، می توان تحولات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرد و باعث طراحی دقیقتر و بهتر ادوات الکتریکی اپتوالکترونیکی وابسته به اسپین در مقیاس نانو شد. اندازه گیری کمیت های ترموالکتریکی مانند توان ترموالکتریک، در ساختارهایی با ابعاد پایین، به دلیل کاربرد فراو...
با توجه به ویژگی های منحصر به فردی که ساختارهای متشکل از نانوسیم های فلزی با محیط های دی الکتریک دارند و همچنین کاربردهای فراوانی که این ساختارها در حوزه های نانوالکترونیک، بیوتکنولوژی و غیره دارند، در این پایان نامه به بررسی خواص نوری و پلاسمونی نانوکامپوزیت فلز-دی الکتریک پرداخته می شود. نانوکامپوزیت متشکل از نانوسیم های عمودی نقره در قالب متخلخل آلومینا، شبیه سازی و ساخته می شود. در بخش شبیه...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید