در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در این پایان نامه، تحلیل تغییر شکل بزرگ نانوسیم با روش اجزای محدود غیر خطی انجام شده است. معادلات حاکم بر تغییر شکل بزرگ نانو سیم بر اساس تئوری اثر سطح نوشته شده است. بر اساس این تئوری، نانو سیم، به صورت یک تیر مرکب از یک هسته مرکزی و یک پوسته نازک مدل می شود. خواص الاستیک هسته و پوسته با هم متفاوت است، بنابراین از یک سفتی خمشی ترکیبی برای نانو تیر استفاده می شود. علاوه بر این، پوسته دارای یک ت...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

مجاری باز جدار صلب در انتقال آب سامانه‌های زهکش سطحی، فاضلاب و سایر موارد کاربردهای زیادی دارند. به منظور طراحی بهینه و اقتصادی مقطع آنها، بررسی حرکت دانه‌های رسوبی از اهمیت بالایی برخوردار است. در این تحقیق از داده‌های آزمایشگاهی آستانة نهشته شدن و آستانة حرکت رسوبات در مجاری باز صلب استفاده شده است. با به کارگیری روش سرعت بحرانی، روابط جدیدی برای آستانة نهشته شدن در کانال‌های با مقاطع دایره‌ا...

در این پایان نامه عامل های شکل تک قطبی الکتریکی، دو قطبی مغناطیسی، چهار قطبی الکتریکی و همچنین ویژگی های استاتیکی دوترون برای پتانسیل های هسته ایwood-saxon، محاسبه شده است. برای این منظور با ارائه یک روش اختیاری معروف به روشnikiforov-uvarov معادله دیفرانسیلی شرودینگر را با استفاده از شکل های مختلف پتانسیل هسته ای wood-saxon حل کرده ایم و توابع موج مربوطه را محاسبه نموده ایم و با داشتن این توابع...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...