نتایج جستجو برای: ویژگی الکتریکی

تعداد نتایج: 65824  

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1392

در این پروژه با لایه نشانی اکسید فلزی ito خواص نوری و الکتریکی، ساختار لایه ای، خواص عمومی و ساختار کریستالی، ویژگی های اپتیکی این لایه مورد بررسی قرار گرفته است. زیر لایه ito با استفاده از کندوپاش rf در محیط گاز آرگون و بدون گرمادهی به زیر لایه، به مدت 10 دقیقه با هدف نقره لایه نشانی شده است. پس از آن خواص فیزیکی این اکسید فلزی با استفاده از روش های کریستالوگرافی بررسی شده است. آنالیز میکروسکو...

ژورنال: :مجله علمی دانشگاه علوم پزشکی گرگان 0
دکتر علیرضا مهری دهنوی alireza mehri dehnavi (phd) دکتر رسول امیرفتاحی rasoul amirfattahi (phd) دکتر مجتبی منصوری mojtaba mansoori (phd) بهزاد احمدی behzad ahmadi (msc) احسان نگهبانی ehsan negahbani (msc) student of biomedical engineering, isfahan university of medical sciences, isfahan, iran. email:نشانی : اصفهان، خیابان هزار جریب، دانشگاه علوم پزشکی اصفهان، دانشکده پزشکی، گروه فیزیک و مهندسی پزشکی ، تلفن : 5572840 (0311) ، نمابر : 5572840

زمینه و هدف : به منظور جلوگیری از بروز هشیاری به هنگام جراحی و نیز تجویز بیش از حد داروهای هوشبری و با توجه به آشکار شدن عملکرد داروهای هوشبری به صورت اثرگذاری مستقیم روی سیستم عصبی مرکزی، استفاده از علائم اخذ شده از مغز همانند الکتروانسفالوگرام در بررسی و پایش عمق بیهوشی ضروری است. این مطالعه به منظور بررسی وجود ارتباط بین سطح هشیاری و فعالیت الکتریکی سلول های مغزی در بیماران تحت جراحی تعویض د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان آذرباییجان شرقی - دانشگاه پیام نور مرکز تبریز - دانشکده علوم پایه 1388

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1393

در این رساله لایه های نازک کربن – نیکل توسط دستگاه کندوپاش مغناطیسی با فرکانس رادیویی روی زیرلایه های شیشه و کوارتز انباشت می شوند. لایه های انباشت شده روی زیرلایه های شیشه تحت زمان های انباشت مختلف 50 تا 600 ثانیه در دمای اتاق تهیه میشوند. لایه های انباشت شده روی کوارتز تحت زمانهای یکسان 600 ثانیه در دمای اتاق تهیه میشوند سپس در یک کوره تحت فشار اتمسفر در دماهای 300 تا 1000 درجه سانتیگراد بازپ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده علوم پایه 1393

مواد پیزوالکتریک با پایه سرب (تیتانات زیرکونیوم سرب (pzt )) به دلیل خواص الکتریکی مناسب کاربرد بسیار وسیعی در فناوری های الکترونیک و میکروالکترونیک دارند. خواص این مواد وابستگی زیادی به دوپنت های موجود دارد. از جمله دوپنت هایی که برای این دسته از پیزوسرامیک ها استفاده می شود دوپنت های نوع دهنده بوده که باعث بهبود خواص دی الکتریک و پیزوالکتریک آنها می شود. در تحقیق حاضر پیزوسرامیک هایpb(zr0.51ti...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم کشاورزی و منابع طبیعی ساری - دانشکده علوم کشاورزی 1392

در این تحقیق با استفاده از یک دستگاه خشک¬کن با بستر سیال، اثر پارامترهای دما و تغییرات وضعیت بستر بذر درون خشک¬کن بر خصوصیات کیفی بذر و برخی ویژگی¬های مرتبط با بنیه بذر در دو رقم سویای ساری (jk) و کتول (dpx) تولید شده به ترتیب در استان¬های مازندران و گلستان، بررسی گردید. بذرهای برداشت شده پس از مشروط-سازی با یک خشک¬کن بستر سیال نوع وعده¬ای، در دماهای 40، 30، 50 و 60 درجه سانتی¬گراد در سه حالت ب...

بسپارهای رسانای الکتریکی، با وجود داشتن رفتار الکتریکی، از ویژگی مکانیکی و فرایندپذیری بسیار خوبی نیز برخوردار هستند. یکی از کاربردهای این بسپارها، به‌کارگیری آن‌ها در پوشش‌های امواج الکترومغناطیس است که با پیشرفت سریع تجهیزات، سامانه‌های الکترونیکی و منابع متفاوت تولید امواج الکترومغناطیس، این کاربرد حیاتی شده است. در پژوهش حاضر، نانوچندسازه رسانای الکتریکی برای تهیه لایه منعطف جاذب امواج الکت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اراک - دانشکده علوم انسانی 1389

در این کار تجربی سعی شده است برخی ویژگی های الکتریکی و ساختاری لایه های نازک سه فلز مس ، نقره و آلومینیوم ، مورد مطالعه قرار گیرد. ایجاد لایه های نازک فلزی با ویژگی های ساختاری و الکتریکی مناسب از اهمیت اساسی در علوم و تکنولوژی های متفاوت برخوردار است. به علت مزیت های فراوان این لایه ها در اتصالات بینابینی ، به دلیل مقاومت الکتریکی پایین و دمای ذوب بالا مطالعه لایه های نازک این سه فلز بر ویژگی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1393

در این پایان¬نامه ما به بررسی تاثیر میدان الکتریکی بر کنترل خواص الکترونی، مغناطیسی نانوحلقه¬ها و نانودیسک¬های گرافینی به منظور استفاده در نانوترانزیستورهای وابسته به اسپین می¬پردازیم. با توجه به تنگ بست قوی تک¬نواری و مدل میدان متوسط هابارد، از حل معادله پواسن به منظور در نظر گرفتن اثر میدان الکتریکی(پتانسیل در هر جایگاه اتمی) استفاده کردیم. با در نظرگرفتن میدان¬های الکتریکی متفاوت، خواص الکتر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه 1388

چکیده ندارد.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید