نتایج جستجو برای: dwcnt

تعداد نتایج: 45  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم 1390

در کارهای پیشین با استفاده از مدل گلوله-فنر، مدلی مناسب برای رشد نانولوله های تک دیواره ارائه شده است. در اینجا نیز از مدل گلوله-فنر استفاده می شود، اما برای بدست آوردن معادلات رشد دیواره های داخلی و خارجی dwcnt برحسب زمان، بایستی اندرکنش هر یک از دیواره ها با زیرلایه و همچنین اندرکنش متقابل دیواره ها روی یکدیگر، و تأثیر آنها بر رشد دیواره ها محاسبه شود. در اینجا از پتانسیل لنارد-جونز برای محاس...

The dynamic instability of single-walled carbon nanotubes (SWCNT), double-walled carbon nanotubes (DWCNT) and triple-walled carbon nanotubes (TWCNT) embedded in an elastic medium under combined static and periodic axial loads are investigated using Floquet–Lyapunov theory. An elastic multiple-beam model is utilized where the nested slender nanotubes are coupled with each other through the van d...

2007
C. Kramberger F. Simon R. Pfeiffer M. Mannsberger M. Holzweber F. Hasi H. Kuzmany

We performed vapor phase filling of SWCNTs with various kinds of fullerenes. C60, C70, C enriched C60 and mixtures of these were used. The resulting peapods as well as the DWCNTs obtained by annealing were characterized with multi frequency Raman spectroscopy. Simultaneous filling with C60 and C70 was found to take place with the same efficiency. When using the C enriched C60 for DWCNT synthesi...

2003
José L. Rivera Clare McCabe Peter T. Cummings

Computer simulations of double-walled carbon nanotubes show that if the inner nanotube is pulled out part of the way and then released, then the inner tube exhibits damped oscillatory behavior at gigahertz frequencies. A simple mathematical model, formulated in terms of macroscopic ideas of friction, is shown to predict the observed behavior to a high degree of accuracy. Introduction. Carbon na...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1387

boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید