در این پایان نامه انتقال الکترونی و انتقال اسپینی در ترکیبات مختلف نقاط کوانتومی بررسی می شود. نشان داده می شود که اثرات تشدید و ضد تشدید در نمودارهای جریان-ولتاژ به علت وجود نقاط جانبی رخ می دهد.این نتیجه حاصل می شود که می توان با تنظیم فاکتورهای فاز برهم کنش راشبا و شار مغناطیسی خارجی به قطبیدگی صددرصد دست یافت.

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

هدف این رساله مطالعه ی پدیده ی چگالش بوز-انیشتین در اتم های فراسرد در حضور میدان های پیمانه ای مصنوعی است. در قسمت اول‏، گازی از اتم های بوزونی بدون برهم کنش را در تله ی حقلوی شبه دوبعدی در نظر گرفته و با استفاده از رهیافت نیمه کلاسیکی به تحقیق امکان چگالش در آن پرداخته ایم. سپس جفت شدگی اسپین-مدار راشبا و درسل هاس با سهم های مساوی و نیز میدان زیمان خارجی را به عنوان میدان های پیمانه ای مصنوعی ...

دو نوع برهمکنش اسپین- مدار راشبا و درسلهاوس به ترتیب ناشی از نبود تقارن وارونی دیواره های گیرانداز و نبود تقارن وارونی حجمی در یک سیستم هستند که در کنترل مغناطش اسپین رسانش نقش اساسی دارند.ما در این رساله به بررسی جامع این دو نوع برهمکنش پرداخته و با استفاده از مدل نیمه کلاسیک و حل معادله بولتزمن در چارچوب تقریب زمان واهلش، اثر این برهمکنش ها را بر روی خواص مگنتو الکتریک مانند جگالی اسپینی هم د...

ما در این پایان نامه پذیرفتاری گرافن تک لایه را محاسبه خواهیم کرد. به این صورت که ابتدا هامیلتونی گرافن تک لایه را با استفاده از روش بستگی قوی در فرم کوانتش دوم و با در نظر گرفتن ترم راشبا (یعنی با وجود اثرات اسپین-مدار القایی) محاسبه خواهیم کرد و با محاسبه ویژه حالتها و وارد کردن بر همکنش الکترون- فوتون (وجود یک میدان الکترومغناطیسی خارجی) و اضافه کردن ترم زیمن پذیرفتاری گرافن تک لایه را بدست ...