اثر امپدانس مغناطیسی به صورت تغییرات امپدانس یک رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسیخارجی تعریف می شود. مطالعه و بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی آغاز شد. اثر امپدانس مغناطیسی در مواد مختلفی مشاهده شده است اما در این میان مواد نانوساختار به علت خواص غیر معمول مغناطیسی، الکتریکی و اپتیکی و همچنین تنوع در روش‏...

شش نمونه سطح به وسیله تابش باریکه الکترونی با نقره لایه نشانی کردیم سپس یکی از آنها را به عنوان شاهد کنار گذاشتیم و پنج نمونه ی دیگر را در پنج دمای مختلف 550،625،700،775،850 باز پخت کردیم. روی همه ی نمونه ها با دستگاهای xrd,afm,uv,sem آزمایش وبررسی صورت گرفت.نتایج بدست آمده نشان می دهد با افزایش دما بلورک ها رشد بیشتری می کنند و گاف انرژی آنها کاهش می یابد.

اکسید ایندیوم قلع (ito) یک نیمرسانای نوع n با گاف انرژی بزرگ است که عبور بالا در ناحیه های مرئی و مادون قرمز نزدیک از خود نشان می دهد. با توجه به روش انباشت، لایه های نازک ito می توانند دارای شفافیت، رسانندگی و مورفولوژی سطح مختلف باشند. لایه های نازک ito مورد استفاده در این تحقیق به روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده اند و در ادامه در 0c 200، 0c300 و 0c 550...

در این مقاله تغییرات انجام شده در ریز ساختار آلیاژهای tial-? حاوی si بعد از تغییر شکل گرم و نیز بازپخت مورد بررسی قرار گرفته است. عوامل مؤثر در عملیات ترمومکانیک مثل دمای تغییر شکل،نسبت تغییر شکل و دمای بازپخت مورد مطالعه قرار گرفته اند. تغییر شکل تکدما در دماهای زیرخط یوتکتویید ?+ 2? ? ? منجر به تجدید تبلور دینامیک بصورت غیرهمگن در زمینه آلیاژها شده و دانه های ریز و هم محور در نواحی تجدید تبلو...

این پایان نامه به بررسی تاثیر دما و محیط بازپخت در نانو ساختار لایه های نازک اکسید مس می پردازد. لایه های نازک مس به روش تبخیر حرارتی در خلاء( pvd ) برروی زیر لایه های شیشه تهیه شده و سپس در محیط های مختلف در اتمسفر(هوا) و در حضور شار ثابت اکسیژن (cc/min 200) در دماهای c?400-200 باز پخت شدند. در مرحله بعد نیز به وسیه آنالیزی های پراش پرتو – (xrd)x و میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) ساختار کریستالو ...

در این تحقیق لایه های نازک به روش تبخیر با باریکه ی الکترونی در روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شدند. این روش تبخیر حرارتی مزایایی بر روش های دیگر دارد. در این روش زیرلایه آسیب نمی بیند و از طرفی چون بعضی از مواد با چشمه حرارتی (بوته) شدیدا واکنش می دهند برای تبخیر موادی از این قبیل و جلوگیری از آلودگی لایه ها از این روش استفاده می شود. در این کار تجربی لایه ها پس از فرآیند لایه نشانی در دماهای...

در این تحقیق، لایه های نازک al2o3 بررروی زیر لایه شیشه bk7 به روش تبخیر باریکه الکترونی انباشت شده و سپس در دماهای 250، 350 و500 درجه سانتی گراد بازپخت حرارتی شده اند. تاثیر دمای بازپخت بر روی خواص ساختاری و مورفولوژیکی لایه های فوق با استفاده از آنالیزهای xrd و afm بررسی شده است. نتایج بیانگر آن است که با افزایش دمای بازپخت ساختار لایه ها تغییر نکرده ولی زبری سطح لایه ها افزایش یافته است.

در این تحقیق لایه های نازک سیستم دوتایی اکسید تنگستن – اکسید وانادیوم بر روی بسترهای شیشه ای به روش شیمیایی اسپری پایرولیزیز تهیه شدند. اثر ناخالصی وانادیوم، دمای بستر و فرایند بازپخت بر روی خواص ساختاری، مورفولوژی سطحی و خواص اپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن بررسی شد. آنالیز xrdنشان داد که لایه ها قبل از بازپخت ساختاری آمورف دارند. فرایند بازپخت باعث بهبود نظم بلوری لایه ها می شود و لایه ها ب...

توان اکتیو و راکتیو تولیدات پراکنده معمولا در شرایط متصل به شبکه توسط استراتژی جریان dq کنترل می شود. اما پس از جزیره ای شدن استراتژی کنترل جریان dq نمی تواند وظیف کنترل را به درستی انجام دهد؛ در نتیجه این کنترل کننده غیر فعال شده و یک کنترل کننده پیش فاز-پس فاز تنظیم شده بوسیله الگوریتم بازپخت شبیه سازی شده برای تولید پراکنده در حالت جزیره ای پیشنهاد می گردد. معیار مجموع حاصلضرب زمان در سیگنال...

به منظور کاربرد نانوذرات مغناطیسی در محیط های ذخیره سازی اطلاعات، نیاز به نانوذراتی در ابعاد nm 20-2 است تا هر نانوذره به عنوان یک بیت به کار رود. این ذرات می باید از نظر مغناطیسی، فرومغناطیس و دارای ناهمسانگردی مغناطوبلوری بالا (ku= 107 erg/cm3) و همچنین میدان وادارندگی از مرتبه تسلا باشند. دستیابی به این خواص از طریق گذار به فاز منظم l10 حین گرمادهی نانوذرات تا دمای c?600 امکان پذیر است. دمای...