نتایج جستجو برای: مواد نیم رسانا

تعداد نتایج: 95629  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده شیمی 1393

برخی نیم¬رساناهای سه¬تایی نانوساختار پایدار در مقابل خوردگی نوری از خانواده¬ی محلول¬های جامد کادمیم-روی-سولفید به روش هیدروترمال سنتز و عملکرد فوتوکاتالیستی آن¬ها جهت تولید هیدروژن (فوتوشکافت آب) بررسی شد. آزمایشات درون یک سامانه¬ی واکنش¬گاه نوری دست¬ساز با قابلیت کنترل دمایی انجام شد. بررسی¬ها نشان دادند افزودن ناخالصی¬های قلع و نیکل، عملکرد فوتوکاتالیتیکی نیم¬رسانا را افزایش داده و بیشترین می...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک 1393

مطالعات روی نانو ساختارهای نیمرسانا تحت میدان های مغناطیسی کوانتیده و تابششدید تراهرتز از اهمیت بالایی برخوردار است. علاوه بر مطالعات تجربی، اکثر خواصنانو ساختارهای نیمرسانا تحت میدان های مغناطیسی کوانتیده و تابش تراهرتز به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به پیشرفت سریع پدیده تراهرتز توصیف نظری جفت شدگی الکترون فوتون امری ضروری است. کمیتی که به این منظور به طور معمول در درک ویژگی ه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده علوم 1391

یک شبه نقطه ی کوانتومی کروی از جنس ga1-xalxas /gaas با پتانسیل شبه هماهنگ را در نظر گرفته و در تقریب جرم موثر و با استفاده از روش قطری سازی ماتریس ها، توابع موج و طیف انرژی الکترون محبوس در شبه نقطه ی کوانتومی کروی را تحت تأثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی و همچنین در حضور و عدم حضور ناخالصی هیدروژنی محاسبه کرده و چگونگی تغییرات ترازهای انرژی را بر حسب شعاع، پتانسیل شیمیایی گاز الکترون و قدرت ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه 1388

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم 1388

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیر لایه gaas نوع n به روش های الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. روش های الکتروانباشت و الکترولس هر دو به دلیل سادگی، انجام در شرایط متعارفی و نیز مقرون به صرفه بودن روش های مناسبی برای تولید لایه های نازک می باشند. در الکتروانباشت به منظور رشد لایه های مس بر زیرلایه gaas از تکنیک های پتانسیل ثابت و جریان ثابت استفاده شد و با استفاده از تصاویر sem شرایط منا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور 1387

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک 1392

نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطه مغناطیسی، منجر به استفاده از آن در صنایع اسپینترونیک می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی wien2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب های gga...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم پایه 1393

نانوساختارهای نیم رسانا که به آن ها نقطه ی کوانتومی یا اتم های مصنوعی نیز گفته می شود، کاربردهای بسیاری در سامانه-های مختلف از جمله لیزرها و آشکارسازهای نوری پیدا کرده اند که این کاربردها به دلیل ویژگی های وابسته به اندازه و قطبش آن ها است. در هنگام رشد ساختارهای نامتجانس خودسامان یافته مثل inas/gaas، نقطه های کوانتومی در شکل-های مختلفی مثل هرم و نیمه بیضی وار رشد می کنند. به دلیل تفاوت ثابت شب...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید