استفاده از تکنیک تحریک سلول های زیستی از طریق الکترودها در درمان یا بهبود بسیاری از بیماری ها ناشی از ناتوانی سلول های بافت خاصی از بدن یا عملکرد نامناسب آن ها، بسیار رایج و مؤثر می باشد. از اینرو در سال های اخیر تجهیزات بیومدیکال قابل کاشت توجهات بسیاری را به خود معطوف کرده اند و مطالعات بسیاری در زمینه ی نحوه طراحی و ساخت این تجهیزات انجام شده است. به عنوان یکی از مهمترین بخش های تحریک کننده ...

نیمه هادی آلی poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene (meh-ppv) کاربردهای وسیعی در اپتوالکترونیک دارد، لیکن ساخت و نگهداری این ادوات در محیط عاری از اکسیژن صورت می-گیرد. پژوهش های متعدد نشان داده است که ویژگی های اپتوالکترونیکی این نیمه هادی در حضور اکسیژن به سرعت تخریب می گردد. طی این کار نشان دادیم که هدایت الکتریکی لایه ای از meh-ppv در حضور اکسیژن به تدریج کاهش یافته به مقدا...

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

روش سیگنال تحلیلی را برای تفسیر داده های بی هنجاری مغناطیسی و گرانی سنجی به کار می برند. مزیت استفاده از روش سیگنال تحلیلی برای تفسیر بی هنجاری های مغناطیسی، مستقل بودن شکل دامنه سیگنال تحلیلی ازپارامترهای جهت دار مانند جهت مغناطیدگی و شیب منشأ مغناطیسی است. دامنه سیگنال تحلیلی یک تابع متقارن زنگوله ای شکل است که بیشینه آن دقیقاً بالای گوشه بی هنجاری قرار گرفته است و پهنای منحنی دامنه آن با عمق ...

با پیشرفت فناوری در سال¬های اخیر لایه های نازک اکسیدهای نیمرسانای شفاف(tco) بر پایه اکسیدروی (zno) واکسیدکادمیومcdo) ) نظیرآلیاژ سه تایی ‍‍cdzno بطور گسترده برای ساخت قطعات اپتوالکترونیکی مانند سلولهای خورشیدی، بازتاب کننده های گرمایی، ولایه های نازک فتوولتائی مورد توجه قرار گرفته اند. در این کار، ابتدا لایه های نازک cd_x zn_(1-x) o به روش سل-ژل روی زیر لایه های شیشه ای و سیلیکونی انباشت شدند. ...

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از ma 5 تاma30 و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oc 25، oc77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های xrd و sem مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم ...

برخی نیم¬رساناهای سه¬تایی نانوساختار پایدار در مقابل خوردگی نوری از خانواده¬ی محلول¬های جامد کادمیم-روی-سولفید به روش هیدروترمال سنتز و عملکرد فوتوکاتالیستی آن¬ها جهت تولید هیدروژن (فوتوشکافت آب) بررسی شد. آزمایشات درون یک سامانه¬ی واکنش¬گاه نوری دست¬ساز با قابلیت کنترل دمایی انجام شد. بررسی¬ها نشان دادند افزودن ناخالصی¬های قلع و نیکل، عملکرد فوتوکاتالیتیکی نیم¬رسانا را افزایش داده و بیشترین می...

در این مقاله، شتاب الکترون به وسیله یک پالس لیزری با قطبش دایروی در خلاء تحت تاثیر میدان مغناطیسی محوری ثابت، ترکیب میدان‌های مغناطیسی ثابت محوری و سمتی، میدان مغناطیسی محوری متغیر مطالعه شد پارامترهای تاثیرگذار روی انرژی کسب شده توسط الکترون مانند شدت لیزر، شعاع لکه لیزر، اندازه میدان سمتی و پارامتر تغییر میدان محوری متغیر بهینه شد و مشاهده گردید که با اضافه کردن میدان مغناطیسی سمتی (در حدود )...

ساده ترین مدار معادلی که ممکن است برای توصیف پاسخ الکتریکی یک رسانای یونی به کار رود عبارت است از یک مقاومت الکتریکی و یک خازن که به طور موازی به هم متصل شده اند. نیم دایره امپدانس حاصل از این مدار معادل یک نیم دایره کامل است، در حالی که حاصل داده های تجربی معمولا به صورت نیم دایره فشرده شده بوده، و از این رو متفاوت با نیم دایره های کامل هستند. برای توصیف این رفتار معمولا به جای خازن از عنصر دی...

در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفت شدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان ...