آلیاژهای هاسلر از جمله آلیاژهای متعددی هستند که به دلیل دو خاصیت حافظه‎ای و اسپینترونیک که کاربرد زیادی در صنعت و فناوری دارند، در دهه‎های اخیر مورد توجه و تحقیق بسیار قرار گرفته‎اند. در کار حاضر به بررسی دو آلیاژ ni2mnga و ni2mnal که از این خانواده هستند، پرداخته شده است. خواص ساختاری و الکترونی این دو آلیاژ با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی محاسبه شده است؛ که در آن از چگالی الکترونی دستگ...

یک نیم¬فلزات در یک کانال اسپینی (اغلب اکثریت) فلز و در کانال اسپینی دیگر (اغلب اقلیت) نیم¬رسانا هستند و به¬دلیل قطبش اسپینی 100% در سطح فرمی در قطعات تزریق اسپین و اسپینترونیک بسیار مفید هستند. از جمله¬ی نیم¬فلزات آلیاژهای هویسلر هستند که به دو دسته تقسیم می¬شوند: آلیاژهای نیم¬هویسلر و آلیاژهای هویسلر کامل. آلیاژهای هویسلر کامل دارای ساختار l2_1 و ترکیب استوکیومتری x_2 yz هستند که x و y از عناص...

در ترکیبات نیم فلز یکی از دو کانال اسپینی نیم رسانا یا عایق و دیگری فلز است. بنابراین این ترکیبات دارای قطبش اسپینی100% در سطح فرمی هستند، لذا این ترکیبات یک جریان کاملاً اسپین-قطبیده ایجاد می کنند و به همین دلیل در صنعت اسپینترونیک مورد توجه بسیاری قرار گرفته اند. نیم فلزهای فرومغناطیسی می توانند به روش رونشستی هم محور باریکه مولکولی بر روی نیم رساناها رشد داده شوند. در این روش موضوع اصلی داش...

از آنجاییکه جفت شدگی اسپین-مدار در گرافین بسیار ضعیف است و طول واهلش اسپینی در نمونه های آلاییده و دمای اتاق در حدود ‎$ 1 ‎mu‎ m $‎ ‎‎‎ است. انتظار می رود نمونه های‎‎ خالص دارای طول واهلشی بلندتری باشند. این امر سبب می شود گرافین به یک کاندیدای مناسب برای کاربردهای اسپینترونیک مبدل شود. از سوی دیگر گرافین به صورت ذاتی خواص مغناطیسی ندارد. بنابرا‎‎ین می توان خواص فرومغناطیسی‎‎ را به ص...

با کشفگرافین در سال 200? و مشاهدهی خواصممتاز الکتریکی این ماده برای استفاده در صنایع الکترونیکو اسپینترونیک، ضرورت مطالعهی خواص ترابرد الکتریکی و اسپینی این ماده مورد توجه قرار گرفت. یکی از کاندیداهای استفاده در ترابرد الکتریکی جهت انتقال اطلاعات، نانوروبانهای گرافینی هستند. در این میان بررسی اثر بینظمی، شامل بینظمیهای موضعی ساختاری و ناهمواریهای لبهی نانوروبانها اثرات مهمی روی خواص ترابرد ا...

در سال های اخیر ترابرد جریان اسپین قطبیده از ساختار های چند لایه ای نیمرسانای غیرمغناطیسی / نیمرسانای مغناطیسی رقیق شده (dms/nms) به دلیل کاربرد آنها در اسپینترونیک توجه زیادی را به خود معطوف کرده است. در این پایان نامه به طور نظری آثار جفت شدگی اسپین- مدار راشبا را روی مغناطومقاومت و قطبیدگی اسپینی ساختار سد دو گانه dms/nms در حضور میدان مغناطیسی بررسی نمودیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که ...

در این پایان نامه خواص الکترونیکی، فونونی و ترموالکتریکی ترکیبات (r=gd, tb, dy)rmno3 با استفاده از محاسبات اصول اولیه مطالعه شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، گاف انرژی و چگالی حالت ها با تقریب های gga،lda+u و gga+uدر چهارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) انجام شده است. با مقایسه مقادیر گاف نواری اسپین بالا و پایین به این نتیجه می-رسیم که این ترکیبات در حالت اسپین بالا با داشتن گاف نواری ک...

وجود یک سری مختصات ویژه ی نانولوله های کربنی، آن ها را به انتخابی ایده آل برای بسیاری ازکاربردها تبدیل کرده است. مدارک گوناگونی نشان می دهد که آلاییدن نانولوله های کربنی با اتم هایی که به نانولوله اسپین تزریق می کنند، باعث بهبود خاصیت مغناطیسی ضعیف نانولوله ها و امکان استفاده از آن ها در صنعت اسپینترونیک می شود. از میان عناصر شیمیایی گوناگون، فلزات واسطه به علت برقراری پیوند قوی با اتم های کربن...

پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن د...

در حال حاضر تحقیقات وسیعی روی استفاده از مولکول های آلی به عنوان قطعات الکترونیکی و اسپینترونیک مولکولی در حال انجام است. در اسپنترونیک مولکولی از مولکول های آلی به خاطر ساختار قابل کنترلشان، ارزان بودن، انعطاف پذیربودن و همچنین طول همدوسی اسپینی بزرگی که نسبت به فلزات و نیم رسانا های رایج دارند، به عنوان کانال مولکولی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پژوهش ابتدا، خواص ساختاری و الکترونی الیگو...