در پایان¬نامه ی حاضر، اثر تنش تک محور بر روی انحنای بری گرافین مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با فرض این که، اعمال تنش به نرمی و آرامی در فضا و مکان رخ داده، صورت گرفته است. نتایج به دست آمده نشان دهنده ی اثرات متنوع تنش اعمالی به گرافین می باشد که می توان از مشاهده ی اثر هال، پمپاژ بار، امکان وجود مغناطش مداری در غیاب هرگونه ماده ی مغناطیسی در سیستم و تولید نیروی الکتروموتیو به عنوان نمونه...

در این پایان¬نامه طراحی مدارهای cmos در فرکانس¬های با طول موج میلیمتری مورد بررسی قرار گرفت و عملکرد قطعات فعال و غیرفعال در این فرکانس¬ها بیان شد. به¬دلیل اثرات پارازیتی موجود در فرکانس¬های بسیار بالا، مدل قطعات شامل سلف، خازن و خط انتقال، باید با استفاده از آنالیز جریان¬های شارش یافته در زیرلایه و سایر قسمت¬های قطعه، در نرم¬افزارهای شبیه¬سازی سه بعدی الکترومغناطیسی به¬دست ¬آید. طراحی این قطعا...

ابتدا ساختار یکپارچه ای برای اینورتر گرافنی شامل ترانزیستور اثر میدان گرافنی و خط ارتباطی گرافنی ارائه می شود. دلیل ارائه ساختار یکپارچه برای اینورتر گرافنی حذف مقاومتهای اتصال اهمی، شاتکی و اثرات پارازیتی در محل اتصال خطوط ارتباطی فلزی متداول به گیت، سورس و درین ترانزیستور است. سپس با استفاده از مدل مداری ادوات گرافنی به کار رفته در ساختار پیشنهادی، مدل ماتریس انتقال مدار اینورتر گرافنی ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

امواج الکترومغناطیسی در برخورد با بردهای الکترونیکی، جریان و ولتاژ در مدارها القا می کنند. اندازه میدان کوپل شده، به خصوصیات جبهه موج و برد الکترونیکی بستگی دارد. در این مقاله با حل معادلات ماکسول به روش fdtd1 و شبیه سازی سه بعدی از شرایط مرزی لایه های کاملا منطبق2 و روش tf/sf3، برای شبیه سازی انتشار موج در برد و محیط و بررسی تأثیر مشخصات موج تابشی در القا بر روی خطوط میکرواستریپ برد مدار چاپی ...

در این مقاله، رشد نانومیله های جهت دار اکسید برروی زیرلایة شیشه سودالایم در شرایط هیدروترمال انجام گرفت. با این روش، رشد نانوذرات اکسید روی بدون استفاده از تمپلیت و سورفکتانت در دمای کمتر از ˚C100، در مقیاس زیاد و با هزینة بسیار اندک ممکن است. نمونه ها با آنالیز تفرق اشعه ایکس (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شدند. نتایج نشان می دهد که نانومیله های تک کریستال، با جهت گیری [002] و سا...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

در این تحقیق لایه های نازک pb با ضخامت های مختلف به روش الکتروانباشت تک حمام و با استفاده از سه الکترود بر روی زیرلایه های مس و طلا تهیه شدند. برای به دست آوردن ولتاژ مناسب انباشت از مطالعه ولتامتر چرخه ای استفاده شد. ضخامت لایه های انباشت شده با استفاده از دستگاه dektak3 اندازه گیری شد. نانوساختار این لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و الگوی پراش اشعه ایکس مورد مطالعه قرار گرفت. ...

تثبیت بسترهای سست و نیز لایه های زیراساس و اساس با افزودن مواد تثبیت کننده از فنون رایج راهسازی است. امروزه علاوه بر مواد تثبیت کنند? متعارف سیمانی ( آهک و سیمان) مواد شیمیایی و معدنی مختلفی جهت اصلاح خاک‌ها تولید و عرضه می‌شود که لازم است در هر پروژه میزان اثربخشی و نحو? کاربرد آنها مورد آزمایش قرار گیرد.در این تحقیق با انجام آزمایش‌های شناسایی،حدود اتربرگ،تراکم،pH، تورم، CBR، تک محوری و تصویر...