در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظم...

با تکنیک طیف سنجی افت انرژی الکترون بازتابی(REELS)، در انرژی کم می‌توان خواص الکترونیکی لایه‌های نازک و نانو ساختارها و ساختار الکترونی سطح را تعیین کرد. در این مقاله، با استفاده از سطح مقطع ناکشسان تجربی REELS به دست آمده به روش توگارد – چورکن دورف، تابع دی الکتریک تیتانیت استرانسیم با روش یوبرو- توگارد تعیین می‌شود. سطح مقطع تئوری با توافق خوبی با تجربی در انرژی 1423 و زاویه‌ی ورودی و خروجی °...

در گستره انرژی 1019 تا بیش از 1020 الکترون ولت از بهمن های هوایی گسترده، نسبت میون ها به الکترون ها و میانه زاویه سمت الرأسی آنها محاسبه و نتیجه محاسبات با کار شبیه سازی کاپه دویله capdevielle)) و همکاران مقایسه شده است. نتایج برای ترکیب ذرات اولیه کیهانی تا انرژی 7×1019 الکترون ولت، همخوانی خوبی را با اولیه های پروتون نشان می دهد. در انرژی های بالاتر، بیش از حد معروف به قطع gzk، افزایش قابل مل...

در این پژوهش عملکرد سلول خورشیدی پروسکایت با بکارگیری دو لایه‌ی انتقال دهنده الکترون نظیر: SnO2 و ZnO. مورد شبیه سازی و مقایسه قرار گرفته است. بدین منظور از نرم افزار شبیه‌سازی AMPS-1D که دارای قابلیت تعیین مشخصه جریان-ولتاژ ، بازده کوانتمی و تعیین ضخامت لایه‌ها است استفاده شد. تاثیر ضخامت لایه‌ی جاذب پروسکایت، لایه های انتقال دهنده‌ی الکترون، غلظت ناخالصی لایه‌های انتقال دهنده‌ی الکترون و دما ...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

در این مقاله به بررسی شتابدهی طولی الکترون توسط پالس لیزر گاوسی در کانال پلاسمایی کم‌چگال و در حضور میدان مغناطیسی عرضی می‌پردازیم. پارامترهایی مانند دامنه وزاویه قطبش پالس لیزر، چگالی پلاسما و شدت میدان مغناطیسی تأثیر قابل توجهی بر دینامیک الکترونها دارند. نشان داده شده که حضور میدان مغناطیسی در کانال سبب افزایش آستانه‌ی چگالی لازم برای شروع شتابدهی الکترون می‌شود. با بررسی وابستگی شتاب الکترو...

در این پایان نامه، به لحاظ نظری برخی از اکسی اسیدهای گوگرد در دو فاز گازی و آبی با استفاده از روش های محاسباتی ccsd و mp2 با مجموعه پایه ی 6-311++g(d,p) بررسی شده است. اسیدهای مورد بررسی شامل h2so، h2so2، h2so3 و h2so4 هستند. این ترکیبات از نظر شیمی اتمسفری، شیمی احتراق و شیمی معدنی حائز اهمیت هستند. این ترکیبات از لحاظ ساختاری، انرژی، ترموشیمی، خواص مولکولی (انرژی یونش، انرژی الکترون-خواهی، ا...

در این پایان نامه، به بررسی پراکندگی ذره باردار در سیم کوانتومی در حضور نانوحلقه های باردار می پردازیم. با استفاده از روش شبکه بندی، پراکندگی تک کاناله مربوط به ذره در سیم کوانتومی با قید عرضی پتانسیل نوسانگر هماهنگ در حد انرژی های پایین مورد مطالعه قرار می گیرد. درواقع، با مطالعه عددی پراکندگی ذره باردار در نانوسیم توسط پتانسیل برهم کنشی خارجی اعمال شده توسط نانوحلقه های باردار در ترکیب چهار ق...

سیکلوترون ها یکی از انواع شتاب دهنده های دایره ای به شمار می آیند که در آن از میدان الکتریکی جهت شتاب دادن، و از میدان مغناطیسی جهت هدایت ذرات در مسیر دایره ای استفاده می شود. سیکلوترون معمولاً برای شتاب دادن به پروتون و هسته ی هلیوم مورد استفاده قرار می گیرد. این شتاب دهنده ها شامل اجزای اصلی چون الکترومگنت، چشمه ی یونی، سیستم خلأ و سیستم فرکانس رادیویی هستند. هم اکنون در آزمایشگاه مرکزی دانشگا...

در این مقاله پراکندگی رامان پسرو با استفاده از کد ولاسوف یک بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. شرایطی شبیه به آزمایش های انجام شده در این زمینه برای بررسی چگونگی تشکیل و رشد پراکندگی رامان مورد استفاده قرار گرفته است. مطالعه تابع توزیع الکترون ها، میدان های الکتروستاتیکی طولی و الکترومغناطیسی عرضی، و چگالی الکترون ها نشان می دهد که پراکندگی رامان که به دلیل اثرات جنبشی ایجاد شده با تقویت دامنه می...