تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

زمینه و هدف: کریستال مت با القاء استرس اکسیداتیو سبب آسیب سلول‌های مغزی می‌شود. در مطالعه‌ی حاضر اثر تزریق بلندمدت عصاره الکلی اسکروفولاریا استریاتا بر حافظه‌ی فضایی و پروکسیداسیون لیپیدی رت‌های نر طی اعتیاد به کریستال مت مورد بررسی قرار گرفت. مواد و روش‌ها: 49 سر رت نر در 7 گروه شامل: کنترل، سالین، کریستال مت (5 میلی‌گرم/کیلوگرم)، عصاره اسکروفولاریا استریاتا (100 و 200 میلی‌گرم/کیلوگرم)، پیش ت...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی‌الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می‌دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می‌یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

در این مقاله خواص نور کند در یک موج‌بر بلور فوتونی دارای شکاف بررسی شده است و برای بهبود مشخصه‌های نور کند از تغییر شعاع همسایه‌های اطراف شکاف استفاده کردیم. ویژگی موج‌برهای بلور فوتونی دو بعدی شکاف‌دار را با استفاده از روش ابر سلول مبتنی بر روش بسط موج تخت مورد مطالعه قرار داده‌ایم. برای مد TE در یک بلور فوتونی دو بعدی با تقارن شبکه مثلثی که از حفره‌های هوا در زمینۀ سیلیکون تشکیل شده است، با ت...

زمینه و هدف: یکی از تکنیک های پرتودرمانی، درمان به روش فعال سازی فوتونی است. در این روش، میزان انرژی آزادشده در داخل یک تومور را می توان با ترکیب dna و با یک ماده با عدد اتمی بالا و سپس تشدید گسیل الکترونهای اوژه درطی برخورد فوتوالکتریک توسط آن ماده افزایش داد. هدف از مطالعه ی حاضر، بررسی اثر افزایش دوز تومور ناشی از فعال سازی فوتونی در حضور مواد فعال ساز مختلف در تومور، برای چشمه های تالیوم-17...

در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسان‌گرد یک بعدی با بهره‌گیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسان‌گرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسان‌گرد ایجاد می‌شود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسان‌گرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسان‌گرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...

میکروسکوپ های afm توانایی خوبی در تصویر برداری از سطوح اکثر مواد رسانا، نیمه رسانا، کریستال های فوتونی وعایق ها را دارند که امروزه از جمله ابزار های مهم در حوزه نانو تکنولوژی محسوب می شود. از آن جایی که تکنولوژی ساخت cantilever ها که در میکروسکوپ های نیروی اتمی afm به عنوان یک قطعه، بسیار هزینه بر، وارداتی است و مخصوصا اطلاعات مربوط به دانش فنی آن نیز عملا موجود نمی باشد، در این تحقیق به مطالعا...

در این مقاله، ما امواج سطحی قطبیده TM درسطح بلور فوتونی نیمه بی نهایت یک بعدی با لایه کلاهکی که به شکل بلور غیرخطی تک محوری است با استفاده از انتگرال اول معادلات ماکسول بصورت تحلیلی بررسی نموده ایم. لایه کلاهک مورد نظر را به شکل غیرخطی خود-واکانونی کننده در نظر گرفته و با استفاده از روش انتگرال اول معادلات ماکسول، پاشندگی امواج سطحی قطبیده TM را در حضور این لایه کلاهک بطور تحلیلی بدست آورده ایم...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

در این تحقیق مدل سازی و تحلیل المان محدود مواد تک کریستال، چند کریستالی و در نهایت آلیاژهای دو فازی با استفاده از مدل الاستیسیته غیر یکنواخت و کریستال پلاستیسیته مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. در مدل کریستال پلاستیسیته از معادلات متشکله ای برای مدل کردن رفتار تک کریستال ها استفاده می شود تا بتوانند جواب هایی مایکروسکوپیک از پاسخ های اختصاصی کریستال، فرموله کنند. این مدل ها، شبیه سازی کرنش سخت...