در مدلهای مختلف مکانیک آماری تعریف یک متریک بر روی فضای پارامترها باعث نگرش جدیدی به ساختار فاز نظریه می شود. در این مقاله انحنا اسکالر r مربوط به این متریک برای مدل اسپین مختلط چهار حالته حساب شده است. نشان داده شده است که انحنا اسکالر در این مدل رفتار مشابهی با مدلهای ایزینگ و پاتس دارد.

:از جفت شدن یک مرکز سایلیلن سه­تایی و یک مرکز نایترن سه­تایی با اسپین یکسان با رابط استیلنی، ساختارهای جدیدی از حد واسط­ه ای نایترنواتینیل-X-سایلیلن با حالت الکترونی پنج­ تایی به دست می ­آیند. که به­ طور تجربی قابل دسترسی نیستند (Br، Cl، F، X=H، </em...

براساس رهیافت فدیف- یاکبُوسکی و رهیافت ags (آلت-گرَسبرگر-سندآس)، محاسبات سه جسمی در کانال های جفت شده را برای حالت شبه مقید سبک ترین سیستم کائونی k(nn)i=1(i=1/2) با تکانه زاویه ای کل و پاریته j π =0 ¯ و تکانه زاویه ای مداری و اسپین کل s=l=0 در سیستم knn- πς n در فضای تکانه انجام داده ایم، و وابستگی انرژی این سیستم سه جسمی را به برهم کنش دو جسمی kn- πς بررسی کرده ایم.

در سال های اخیر، برهم کنش اسپین-مدار در ساختارهای نیمه رسانا به دلیل کاربرد بالقوه در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیمه رساناهای متداول دو نوع برهم کنش اسپین-مدار وجود دارد. یکی برهم کنش اسپین-مدار درسل هاوسکه به واسطه بی تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی-سولفید) ایجاد می شود و دیگری برهم کنش اسپین-مدار که ناشی از بی تقارنی وارون...

: هدف از این مقاله به دست آوردن حالت پایه یک زنجیره اسپینی پاد فرومغناطیس، شامل ذرات با اسپین یک می باشد. برای این منظور از روش ضرب ماتریسی استفاده کرده ایم و سپس تقارن های لازم را اعمال کرده ایم. در نهایت با استفاده از روش ضرب ماتریسی، فرم صریح حالت پایه این زنجیره بدست آمده است.

در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دست...

در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

مقایسه بین پیش بینی های نظری و اندازه گیری های آزمایشگاهی سطح مقطع دیفرانسیلی کوارکونیوم سنگین به وضوح نشان می دهد که تولید کوارکونیوم های سنگین از طریق ترکش در تکانه های عرضی بالا بر سایر روش های تولید غالب است. ما به توابع ترکش برای ارزیابی احتمالات و سطح مقطع ها در برخورد دهنده های هادرونی نیازمندیم. برای فهم جزئیات بیشتر مثل خواص اسپین مربوط به ترکش، بایستی مدل هایی با جزئیات بیشتر در مورد ...

در این پایان نامه، پیکربندی اسپینی و ترابرد وابسته به اسپین در سیلیسین مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد. سیلیسین یک ساختار لانه زنبوری تک لایه از اتم های سیلیکون می باشد که برهم کنش اسپین-مدار ذاتی در آن بر خلاف گرافین درخور توجه است. پیش تر با استفاده از روش تنگ-بست مدل هامیلتونی موثری برای الکترون ها و حفره های کم انرژی در اطراف نقاط kو kبه دست آمده است. با استفاده از این هامیلتونی و با در نظ...

چکیده در50 سال اخیر، رفتار مقاومت ویژه وابسته به اسپین در نیمرساناهای مغناطیسی توسط محققان زیادی مورد مطالعه قرار گرفته است. مقاومت ویژه مغناطیسی به علت پراکندگی اسپین های سیار با اسپین های جایگزیده در شبکه، با همبستگی اسپین – اسپین متناسب است. بررسی ها نشان داده است که شکل منحنی مقاومت ویژه به برد همبستگی اسپین – اسپین بستگی دارد و همچنین بر اساس یافته های اخیر رفتار مقاومت ویژه اسپینی بعنوان...