در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

گرافین یک لایه تک اتمی از اتم های کربن می باشد که ساختار شبکه ای آن به صورت لانه زنبوری است و در حالت عادی دارای طیف انرژی بدون گاف می باشد. اما می توان با شکستن تقارن بین زیر شبکه های a و b در گرافین، در طیف انرژی آن گاف ایجاد کرد و همین امر باعث متفاوت شدن چگالی احتمال حضور فرمیون های دیراک در زیر شبکه های a و b شده و موجب بوجود آمدن یک قطبش شبه اسپینی غیر صفر در گرافین می شود. اگر گافی که در...

اکسید روی یکی از مهمترین نیم رساناهای گروه iib-vi که درحالت طبیعی به سه صورت ورتسایتس، زینک بلند و سنگ نمکی وجود دارد. ساختار ورتسایتس با دارا بودن گاف مستقیم 4/3 الکترون ولت پایدارترین ساختار است. چون اکسید روی دارای خواص مهمی مانند پیزوالکتریسیته بودن، پایداری شیمیایی و شفافیت اپتیکی در ناحیه ی نور مرئی است دارای کاربردهای زیادی در حسگرهای گازی، الکترودهای شفاف، سلول های خورشیدی و وسائل صوتی ...

در این تحقیق ویژگی های ساختاری، الکترونی، اپتیکی، فونونی و گرمایی ترکیب ws2 بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه¬پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی pwscf انجام شده است. شبه پتانسیل های مورد استفاده تحت دو شرایط بار¬پایسته و فوق نرم ساخته شده و تابعی تبادلی- همبستگی آن ها از نوع lda و gga می¬باشد. مطالعۀ ساختار نواری بیان¬گر این است که این ترکیب یک نیم رسانا...

در این پژوهش، سنتز نقاط کوانتومی CdTe و نقاط کوانتومی هسته CdTe و پوسته CdSe، CdS، ZnS و ZnSe به روش هم‌رسوبی انجام شد. در این راستا ابتدا هسته CdTe سنتز و اثر زمان تقطیر برگشتی یک تا هفت ساعت بر خواص نورتابی، گاف نواری، ساختار و ریزساختار آن بررسی گردید. نتایج نشان ...

ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعی‌های PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترون‌ولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترون‌ولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...

خواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتای...