رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...

در این پژوهش، نانوکامپوزیت nio-ysz جهت استفاده به عنوان لایه ی afl آند sofc به روش لایه نشانی الکتروفورتیک ساخته شد. برای این منظور، ابتدا سوسپانسیون حاوی ذرات nio و ysz با نسبت 50:50 و با غلظت gr/lit10 درمحیط های غیر آبی متعددی تهیه شد. بررسی ها نشان داد که سوسپانسیون تهیه شده در ایزوپروپانول، با افزودن ید دارای بهترین شرایط برای انجام فرآیند الکتروفورتیک است. سپس این سوسپانسیون جهت لایه نشانی...

در این تحقیق چارچوب­های فلز-آلی بر پایه فلز روی [Zn2(BDC)2(DABCO)]n در دمای محیط با روش محلولی ساده در زمان­های مختلف و سپس نانوذرات اکسید روی  (ZnO)با روش تخریب حرارتی چارچوب فلز-آلی در دمای C° ٥٥٠ در ٥ ساعت با حذف بخش آلی بدست آمد. ساختار بلوری نمونه­ها توسط پراش پرتو ایکس (XRD) برای شکل چارچوب فلز-آلی و نانوذرات تهیه شده مورد بررسی قرار گرفت. میکروسکوپ الکترو...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت شیمیایی و با استفاده از قالب های آلومینای آندی ساخته شده است. اثر اعمال میدان مغناطیسی خارجی در حین فرآیند الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی نانوسیم های ساخته شده مورد مطالعه قرار گرفته است. بررسی منحنی های مدت زمان پر شدن کامل حفره های آلومینا نشان می دهد که بااعمال میدان مغناطیسی، سرعت انباشت یونها تحت تأثیر قرار می گیرد.الگوهای پراش اشعه x نیز نشان می دهد که...

با استفاده از روش سل- ژل که یک روش شیمیایی برای تولید نانو ذرات ابررساناهای دمای بالا است، نانو پودرهای اکسیدهای فلزی ترکیب y358را تهیه کردیم. میکروسکپ الکترونی روبشی (sem) میانگین اندازه دانه ها را nm 90 (مقیاس نانویی) نشان داد. برای تعیین دماهای کلسینه و زینتر از نمودار آنالیز حرارتی همزمانsta استفاده کردیم. سپس با استفاده از نانو پودرهای تهیه شده، نمونه با فاز غالب ترکیب ابررسانای دمای بالای...

امروزه سمیت نقره و سرنوشت زیست محیطی آن مورد بحث و چالش است. با این که مطالعات بسیاری در مورد مقدار کل نقره در خاک صورت گرفته، گونه بندی این فلز در خاک به ویژه در خاک آهکی مطالعه نشده است. بنابراین هدف این مطالعه بررسی رفتار شیمیایی این فلز سنگین در دو خاک آهکی و غیرآهکی تعریف شد. آزمایش به شکل فاکتوریل با طرح کاملاً تصادفی با تیمار های نقره (0 و 15 میلی گرم بر کیلوگرم)، لجن فاضلاب (0 و 20 تن در...

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

در چندین دهه اخیر، تکثیر جهانی کامپیوترها، سیستم های الکترونیکی و تجهیزات قابل انتقال، باعث شده که طراحان و محققان تمرکز بیشتری بر طراحی سیستم های ولتاژ و توان پایین داشته باشند. یک ota ولتاژ و توان بسیار پایین در این پروژه پیشنهاد شده است. برای طراحی مدارات ولتاژ پایین، آینه جریان ها و طبقات ورودی و خروجی بررسی می شوند. روش های زیادی برای طراحی otaهای ولتاژ و توان پایین وجود دارد. یکی از این...

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی چهار مخلوط کننده ی ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای مختلف مطرح شده است. ابتدا یک مخلوط کننده ی به هم تابیده ی توان پایین و ولتاژ پایین برای کاربردهای باندپهن که بازه ی فرکانسی 0.5-7.5 ghz را شامل می شود طراحی شده است. این مخلوط کننده ی مبدل کاهشی کاملاً تفاضلی با استفاده از تکنولوژی cmos µm 0.18 طراحی شده است و ساختار به هم تابیده برای بهبود بهره ی مخلو...