در این کار، با استفاده از کد محاسباتی mcnpx 2.6.0، هفت چشمه نوترونی مختلف -چشمه نقطه ای همسانگرد که نوترون های تک انرژی (mev) 1/14 ساطع می نماید، یک چشمه کروی با شعاع 30 میکرومتر که نوترون های تک انرژی (mev) 1/14 ساطع می نماید و نیز، چشمه های کروی با شعاع 30 میکرومتر و طیف همجوشی گاوسی با پهناهای 1، 10، 50، 100 و 1000 کیلو الکترون ولت- را در مورد پنج فاکتور جریان نوترونی صفحه ای،  شار نوترونی ص...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

در این پژوهش، اثرهای آروماتیسیته بر ویژگی ­های الکترونی نانولوله­ های تک دیواره بورنیترید زیگزاگ در طی کرنش مورد بررسی قرار گرفته است. ساختارها در سطح B3LYP/6-31+G(d)  بهینه­ سازی شده ­اند. در طی فرایند کرنش، اتم­های بورو نیتروژن در دو لایه انتهایی نانولوله ثابت نگه داشته شده...

در این تحقیق، یک مدل سه جسمی برای بررسی کانال تهییج در برخورد پروتون با هلیوم به کار برده می شود. در این مدل یکی از الکترون های هلیوم غیرفعال فرض شده که اثر آن با تعریف ضریب پوشانندگی و بار مؤثر برای الکترون فعال منظور می شود. تابع موج حالت پایه 11s و حالت های برانگیخته حالت های 21s و 21p الکترون فعال هلیوم از ترکیب توابع موج هیدروژنی با بار مؤثر تقریب زده شده است. در محاسبات کانال تهییج تک الک...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

در این تحقیق با استفاده از مدل هیدروشیمیایی به بررسی تحول درونی حباب و شبیه سازی عددی وابستگی مشخصه های تک حباب ساکن سونولومینسانسی گاز نجیب آرگون حل شده در سیال آب به فشار محیطی در دمای اتاق پرداختیم. با بررسی سه ناپایداری انتشاری، شکلی و مکانی از طریق نمودار فاز شرایط اولیه را برای داشتن حباب سونولومینسانسی پایدار به دست آورده و برای محاسبه شدت تابش گسیلی در لحظه فروریزش از سه مکانیسم تابش بر...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

در این پایان نامه ترابرد کوانتومی در دو ساختار گرافینی بالیستیک مطالعه می شود. ابتدا به بررسی اتصالات نامتجانس نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی می پردازیم. همدوسی ابررسانایی باعث می شود در فرود الکترون از ناحیه نرمال اول به مرز اتصال با ابررسانا، علاوه بر پراکندگی (ترابرد) به صورت الکترون به ناحیه نرمال دوم (تونل زنی الکترونی)بازتاب ضربی اندریو (پراکندگی به صورت حفره به ناحیه نرمال دوم) نیز صورت بگ...