نتایج جستجو برای: لایه های اکسید روی
تعداد نتایج: 524905 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله نانوسیمهای اکسید روی به همراه لایه نازکی از نانواکسیدهای قلع دو و چهار ظرفیتی از نوع ساختارهای هسته- پوسته و ترکیبی p-n بر روی یک بستر سیلیکونی سنتز شده و با روشهای مختلف از قبیل پراش پرتو ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی شناسایی شدهاند. بررسی الگوی پراش پرتو ایکس (XRD) ساختار ترکیبی، نشان میدهد که در نمونه مورد نظر، لایه نازک اکسید قلع، ازنانو اکسیدهای قلع دو و چهارظرفیتی تشکی...
در حالی که رمانهای مارگارت آتوود موضوع بحثهای انتقادی زیادی های بوده اند، مجموعه داستان کوتاه او چندان مورد توجه منتقدان قرار نگرفته و بیشتر موارد نادیده گرفته شده اند. این مقاله، کوتاه قطبیت ها مردی از مریخ نخستین انتخاب با استفاده تئوریهای رونالد لینگ سیمون دوبوارنقد میشود خود تقسیم شخصیتهایی ناامیدانه جستجوی گرمای انسانی تحقق زندگی دچار هم پاشیدگی روانی میشوند بررسی می شود. نظریات برگرف...
به منظور بررسی جامع و سیستماتیک ویژگی های اپتیکی و ساختاری لایه های نازک اکسید روی ، در این کار تجربی لایه های نازک zno در گستره ضخامت های(nm320-20) از اکسیداسیون حرارتی لایه های zn انباشت شده به روش کندوپاش مگنترون dc روی زیرلایه شیشه ای تهیه شده اند. از آنجایی که در این راه کار خصوصیات لایه های zno به ویژگی های لایه zn انباشت شده و شرایط اکسیداسیون و فرایندهای پس از لایه نشانی وابسته است، ل...
در این تحقیق تجربی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی به روش اسپری پایرولیز سنتز و خواص فیزیکی گوناگون آنها شامل خواص مورفولوژی، ساختاری، اپتیکی، الکتریکی، ترمو الکتریکی و همچنین کاربرد آنها در فوتو رسانایی uv مورد بررسی قرار گرفت. در این تحقیق برای مشخصهیابی نمونهها از دستگاه میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، پراش اشعه ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis، دستگاه اندازه گیری منحنی جریان ...
در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...
در این تحقیق سه نمونه از لایه های نازک اکسید قلع خالص را که به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده اند مورد مطالعه قرار دادیم. اینها به عنوان حسگر گازهای اکسیژن و دی اکسیدکربن استفاده می شوند. طیف عبوری لایه ها حاکی از نازکی لایه ها در محدوده نانومتری (nm 200-150)، و طیف xrd نشانگر تغییر سمتگیری بسبلوری از (200) به (110) می باشد که این تغییر سمت گیری بلوری به دلیل تغییر ضخام...
هدف: هدف از این مطالعه تبدیل انرژی نور لامپ و خورشید به انرژی الکتریکی با تک لایه سازی پروتئین باکتریورودوپسین، ارزیابی ترکیبات مورد آزمایش (TiO2, FTO, Br) جهت افزایش بازده فتوسلهای بیولوژیک، امکان سنجی ساخت فتوسل ها جهت بهکارگیری در معماری، مصارف نظامی و ساخت فتوسل بیولوژیکی بود.مواد و روشها: با روش بلدینگ نانو ذرات دی اکسید تیتانیوم بر روی سطح فلوئور...
چکیده الیاف پلیاکریلونیتریل اکسید شده از پایدارسازی حرارتی الیاف پلیاکریلونیتریل به دست میآید و به عنوان ماده ی اولیه برای تولید الیاف کربن استفاده میشود. در این تحقیق اثر افزودن این الیاف بر خواص مکانیکی کامپوزیتهای زمینه پلیمری تقویت شده با پارچه های سه نوع الیاف پیشرفته بررسی شد. بدین منظور 13 نوع کامپوزیت زمینه اپوکسی تقویت شده با یکی از انواع پارچه الیاف کربن، کولار و شیشه به همراه ا...
در این پژوهش، نانوهرمهای اکسید قلع را با روش هیدروترمال در درجه حرارت پایین بر روی دو بستر سیلیکونی ساده و نانوساختار رشد شد. برای نانوساختار کردن بستر سیلیکونی، که اصطلاحا نانوخار سیلیکونی نامیده میشود، از روش زدایش فاز پلاسما استفاده گردید. مقایسه تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نانوهرمهای سنتز شده بر روی بستر ساده و هم چنین نانوهرمهای سنتز شده بر روی بسترنانوساختار سیلیکونی تفاوته...
مقاومت الکتریکی لایه های نازک نیمه هادی های اکسید فلزی تابعی از ترکیب گاز محیط فراگیرنده آنها است. نانولولههای اکسید تیتانیوم به گاز هیدروژن حساس هستند و در برابر این گاز، کاهش چشمگیری در مقدار مقاومت الکتریکی این نانولولهها مشاهده میشود. در این تحقیق، نانولولههای اکسید تیتانیوم، به روش اکسیداسیون آندی در دونوع الکترولیت آبی و آلی بر روی سطح ورق تیتانیوم ایجاد شدند. نتایج بدست آمده از بررسی...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید