امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

روش‌های مختلفی جهت تثبیت خاک نظیر استفاده از بادبند، کاشت گیاه و استفاده از مالچ وجود دارد. استفاده از روش‌های نوین تثبیت خاک به دلیل کاهش اثرات سو بر محیط‌زیست، جایگزینی مناسب برای مالچ نفتی است. تثبیت خاک با استفاده از نانو پلیمر پلی‌لاتیس قشر یکنواخت به هم چسبیده‌ای را به وجود می‌آورد که در برابر سرعت بالای باد مقاوم بوده و اثرات تخریبی کمتری بر روی محیط‌زیست دارد. در این تحقیق، از خاک منطقه...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

برای نخستین بار در این پایان نامه یک مدل عددی برای بررسی میزان گرمای القاء شده توسط جذب خطی و غیرخطی هنگامی که سیگنال نوری با توان زیاد داخل نانو موجبر سیلیکونی منتشر می شود، پیشنهاد داده ایم. با استفاده از این مدل به بررسی میزان جابجائی طول موج خروجی مبدل طول موج تمام نوری پرداخته ایم. بر مبنای نتایج شبیه سازی، مشخصات خروجی این افزاره برای پالس های در محدوده پیکوثانیه تغییرات قابل توجهی می کند...

آبشستگی موضعی یکی از دلایل عمده­ عدم پایداری پل­ها و در نهایت شکست آن­ها می­باشد. بنابراین علاوه بر بحث پایداری، تخمین عمق آبشستگی در مجاورت پایه­ها نیز دارای اهمیت است. راه­کارهای زیادی به­منظور کاهش عمق آبشستگی پایه­پل­ها ارائه شده است. در این پژوهش از یک راه­حل غیرسازه­ای و دوست­دار محیط زیست برای کاهش عمق آبشستگی پایه­پل­ها استفاده شده است. مواد نانوساختار به­دلیل دارا بودن خاصیت ضد آب، می­...

امروزه پدیده ی جوشش به واسطه ی افزایش قابل توجهی که در ضرایب انتقال حرارت میدان جریان ایجاد می کند، مورد توجه بسیاری از محققین در حوزه های مختلف از جمله صنایع نفت، پتروشیمی و نیروگاهی می باشد. در این راستا ارتقای پارامترهای میدانی جهت افزایش انتقال حرارت در کنار استفاده از ذرات نانوی معلق در سیال پایه از مسایل مهم دیگر در این زمینه می باشد. در این مقاله، بکمک دینامیک سیالات محاسباتی تاثیر افزود...

مساله بررسی عددی انتقال حرارت در کانال با مقطع مثلث متساوی­­الاضلاع با قطر هیدرولیکی 8 میلیمتر، طول 1 متر با استفاده از نانوسیال آب-اکسیدمس، در 2 قطر 20 و80  نانومتری و کسرحجمی 1، 2 و 4 درصد، ابتدا در حالت شار  ثابت در هر 3 وجه کانال و سپس حالت شارثابت بر روی 2 وجه و دمای ثابت بر روی وجه کف(صفحه داغ) می­باشد. نانوسیال بصورت تکفازی در نظر گرفته می­شود. در تکنولوژی نانو، اولین اثر کاهش اندازه ذرا...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...