در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

پس از ارائه اولین گزارش ها در مورد نانو لوله های کربنی با خواص خاص و چشمگیر الکترونیکی ، نوری و شیمیایی ؛ آنها از دیدگاه کاربردی جهت تحقیقات اساسی ، موضوعی جذاب برای پژوهش در حوزه های گوناکون دانش بوده اند. از جمله مباحثی که در این زمینه مورد بررسی قرار گرفت مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربن((cntfet می باشد. در ابتدا چگونگی عملکرد این قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفت های بعدی ؛ شناخ...

اسکندر مقدونی در سال 325 ق.م. در دهانه رود سند تصمیم به بازگشت به غرب را گرفت. در نقشه ترسیمی وی سپاه بزرگ مقدونی که اینک از ملیت­های مختلف تشکیل شده بود، به فرماندهی خود وی از طریق سواحل گدروزیا (دریای عمان) سفر جنگی خود را آغاز نمود، در حالی که ناوگان دریایی او به سرکردگی نئارخوس در آبهای این دریا نیروی زمینی را حمایت می­کرد. جغرافیانگاران یونانی در این عهد بلوچستان را به سه بخش به نامهای اور...

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

اسکندر مقدونی در سال 325 ق.م. در دهانه رود سند تصمیم به بازگشت به غرب را گرفت. در نقشه ترسیمی وی سپاه بزرگ مقدونی که اینک از ملیت­های مختلف تشکیل شده بود، به فرماندهی خود وی از طریق سواحل گدروزیا (دریای عمان) سفر جنگی خود را آغاز نمود، در حالی که ناوگان دریایی او به سرکردگی نئارخوس در آبهای این دریا نیروی زمینی را حمایت می­کرد. جغرافیانگاران یونانی در این عهد بلوچستان را به سه بخش به نامهای اور...

نرخهای ارز یکی از عوامل کلیدی بین یک اقتصاد کوچک باز و بقیه دنیا است.نرخ ارز می تواند متغیرهای کلان اقتصادی همچون قیمت کالاها و خدمات وارداتی در بازار داخلی ، قیمت کالاهای سرمایه ای وارداتی و ساخته شده در داخل و بازدهی سهام شرکتها را تحت تأثیر قرار دهد. همچنین یکی از مهمترین عوامل رونق اقتصادی و رونق بازار بورس، بازدهی سهام است. براین اساس، سوال اصلی پژوهش این است که آیا عبور نرخ ارز بر بازدهی ...

در این مقاله، یک lna کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45ghz با استفاده از تکنولوژی µmrf-0.18cmos شرکت tsmc ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

در این پژوهش، یک تقویت‏کننده توان دوهرتی متقارن در فرکانس 2.14GHz با بازدهی توان بالا و توان خروجی 20 وات طراحی و شبیه سازی شده است. این تقویت‏کننده توان برای استفاده در قسمت بلوک تقویت‏کننده توان یک فرستنده مخابرات بی سیم WCDMA ارائه شده است. این تقویت‏کننده توان از دو تقویت‏کننده تشکیل شده است. تقویت‏کننده توان اصلی که در کلاس AB و تقویت‏کننده توان کمکی که در کلاس C طراحی شده‏اند. برای تقسیم ...