نتایج جستجو برای: ترانزیستور فیلم نازک

تعداد نتایج: 9654  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1389

لایه های نازک خواص اپتیکی، الکتریکی، مکانیکی و دیگر خواص قابل ملاحظه ای را از خود نشان می دهند. علاوه بر این، ممکن است لایه های نازک روی فرایند های مختلفی که در سطح و فصل مشترک ها رخ می دهد، اثر قابل ملاحظه ای داشته باشند. استفاده از لایه های نازک به عنوان لایه ها‍ی کاهنده ی اصطکاک، پوشش های ضد خوردگی و پوشش هایی که استهلاک قطعات مکانیکی را کاهش می دهند، روز به روز بیشتر و بیشتر می شود]1[. در س...

انرژی خورشیدی یکی از منابع انرژی بی پایان و ارزان قیمت در جهان است. تولید الکتریسیته به کمک سیستم فتوولتائیک، یکی از عمده ترین موارد استفاده از انرژی خورشیدی است. تلفیق سیستم فتوولتاییک با ساختمان یکی از طرح‌های مورد توجه مهندسان و معماران است. در این پژوهش سه طرح متفاوت از سیستم فتوولتاییک یکپارچه با ساختمان و یک طرح سیستم فتوولتائیک نصب بر پشت بام در یک شهرک مسکونی جهت تولید برق شبیه سازی شده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1392

چکیده در این تحقیق، نانوذرات کالکوپیریت چهارتایی cuinxga1-xse2 یا همان cigs به عنوان لایه جاذب خوب برای سلول های خورشیدی فیلم نازک با روش های غیرخلا یعنی "روش پولیول" و روش "افزایش تدریجی دما" با کیفیت بالا ساخته شدند. بدین صورت که پیش ماده های کلریدی در محلول در دمای بالا سنتز و نانوذرات حاصل برای مشخصه یابی و نیز ساخت فیلم نازک، درون کلروفرم پخش شدند. نانوذرات بدست آمده در نسبت مولی گالیم به...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1390

در این تحقیق، خواص اپتیکی و ساختاری فیلم های نازک اکسید روی مورد مطالعه قرار گرفته است. برای پوشش این فیلمها، از روش انباشت بخار شیمیایی (cvd) و با کمک تکنیک فعال سازی حرارتی استفاده شده است. زینک استات بعنوان پیش ماده بکار رفته است. گاز اکسیژن جهت انجام واکنش و تشکیل اکسید روی و گاز نیتروژن نیز به عنوان گاز حامل استفاده شده اند. آنالیز های مختلفی از جمله طیف رامان (raman)، طیف ftir ، طیف سنجی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1393

در این رساله لایه های نازک کربن – نیکل توسط دستگاه کندوپاش مغناطیسی با فرکانس رادیویی روی زیرلایه های شیشه و کوارتز انباشت می شوند. لایه های انباشت شده روی زیرلایه های شیشه تحت زمان های انباشت مختلف 50 تا 600 ثانیه در دمای اتاق تهیه میشوند. لایه های انباشت شده روی کوارتز تحت زمانهای یکسان 600 ثانیه در دمای اتاق تهیه میشوند سپس در یک کوره تحت فشار اتمسفر در دماهای 300 تا 1000 درجه سانتیگراد بازپ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
علی بهاری a. bahari physics department, faculty of science, the university of mazandaranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر کبرا حسن زاده k. hasanzadeh physics department, faculty of science, the university of mazandaranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر مونا امیرصادقی m. amir sadeghi physics department, faculty of science, the university of mazandaranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر ماندانا رودباری m. roodbari physics department, faculty of science, the university of mazandaranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
علی اصغر اروجی ali a. orouji semnan universityدانشگاه سمنان اکرم عنبر حیدری دانشگاه سمنان زینب رمضانی دانشگاه سمنان

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان 1390

در طی سالیان اخیر توجه زیادی به وسایل و قطعات الکترونیکی و میکروالکترونیکی بنا شده بر مبنای اکسید روی معطوف گردیده است. اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با فاصله نواری پهن و با ساختار کریستالی هگزاگونال ورتزایت بوده و به خاطر داشتن تحرک زیاد الکترونهای رسانش و پایداری حرارتی و شیمیایی می تواند به عنوان گزینه ای مناسب جهت حسگرهای گازی مورد استفاده قرار گیرد. همچنین دارای رسانندگی و عبور اپتیکی زیا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1381

این پایان نامه یک روش تفاضلات متناهی را برای حل معادله سه بعدی انتقال گرما در فیلم نازک ، مطرح می نماید. با درنظر گرفتن شرایط انتقال گرما در مقیاس کوچک و خصوصیات آن ، معادله انتقال گرما در یک فیلم نازک بدست می آید، که این معادله با فرم معادلات گرما ، معادله سه بعدی نفوذگرایی ، در داشتن مشتق مرتبه دوم دما نسبت به زمان و مشتق مرتبه سوم دما نسبت به زمان و ابعاد جسم ، متمایز می باشد. با استفاده از ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

چکیده تمام نما در این پایان نامه، شیوه ای نوین برای تولید نانومیله های بسیار متراکم zno به روش pvd ارائه شده است. ابتدا فیلم نازک zn به روش تبخیر حرارتی، در خلأ mbar 5-10 در سامانه لایه نشانی در خلأ بر روی زیرآیند شیشه و سیلیکون نشانده شده است. تصاویر fesem این نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت و مشاهده شد که بطور کلی نمونه های رشد یافته روی زیرآیند شیشه لام از نظم، تراکم و همراستایی بیشتری برخور...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید