منظور از دو(چند)پایایی نوری، حالتی است که در آن دو(چند) شدت خروجی پایدار متفاوت برای یک شدت ورودی معین ممکن می شود. خاصیت دوپایایی نوری، یکی از اصول مهمی است که در ساخت ترانزیستورها، کلیدها، مدارهای منطقی، حافظه ها و ... به کار گرفته می شود. قابلیت کنترل پذیری سیستم های همدوس نظیر سیستم های گازی، این امکان را ایجاد کرده است که بتوان آستانه ی دوپایایی نوری را در شدت های پایین کنترل کرد. از طرفی ...

داده‌های الکترومغناطیسی هوابرد در حوزه‌های زمان و بسامد برداشت می‌شوند. این داده‌ها در حوزه زمان، تغییرات زمانی میدان مغناطیسی ثانویه هستند اما در حوزه بسامد خود میدان مغناطیسی ثانویه است که اندازه‌گیری می‌شود. در اینجا داده‌های الکترومغناطیسی هوابرد حوزه بسامد با اِعمال روش معکوس‌سازی اُکام (Occam’s inversion) به مقادیری از رسانایی تبدیل می‌شوند که مربوط به لایه‌های افقی متفاوت هستند. در این برر...

  هنگامیکه یک جبهه موج تخت، تکفام و شبه همدوس بر پله ای بتابد؛ به دلیل تغییرات ناگهانی دامنه و فاز در مرزِ پله، نور بازتابیده پراشیده می­شود و فریزهایی تشکیل می­گردد که به کمک انتگرال فرنل- کیرشهف قابل توصیف می­باشد. اخیرا این نوع پراش کاربردهای متعددی پیدا کرده است، از جمله در اندازه گیری ضخامت لایه های نازک با دقت چندنانومتر، محاسبه ضریب شکست مایعات و جامدات با دقت بالا، تعیین پاشندگی مواد، ان...

مقدمه: مولکول DNA به­علت داشتن خواص منحصر­به­فرد و بدیع می­تواند در زمینه­های تحقیقاتی مختلفی از­جمله       نانو­الکترونیک نوری[1] مورد استفاده قرار گیرد. امروزه، نانوساختارهای مبتنی­بر DNA با کیفیت تشخیص مولکولی توسعه فراوانی یافته­است اما بااین­حال مفهوم نانوالکترونیک مولکولی مبتنی­بر DNA موضوعی است که هنوز با چالش­هایی روبه­رو است و مطالعات فراوانی بر­روی آن در حال شکل­گیری است. با این توصیف...

در این رساله به بررسی خواص نوری ناو ذران رسانا و نیمرسانا می پردازیم. مدلهایی کلاسیکی و کوانتومی برای مدل سازی بخشهای حقیقی و موهومی پذیرفتاری الکتریکی نانو ذرات منفرد (رسانا و نیمرسانا) و نیز محلولها، فیلمها و کمپوزیتهای حاصل از آنها معرفی شده و روشهای محاسبه پذیرفتاری ارائه می شود. مدلها و محاسبات برای تعدادی نانو ذره بروش تجربی آزموده می شود.

چکیده کاربرد نظریه k.p در بررسی حالات الکترونیکی نانو ساختارهای نیم¬رسانا اسماعیل مهدیزاده سروستانی بیشتر خواص اپتوالکترونیکی مواد نیم¬رسانا از قبیل جرم موثر الکترون و حفره، چگالی حالات نوار رسانش و ظرفیت و شکاف نواری در نظریه نواری جامدات نهفته شده است. بنابراین محاسبه ساختار نواری نیم¬رساناها در فیزیک حالت جامد از اهمیت زیادی برخوردار است و در نتیجه نقش اساسی در پیشرفت ساخت ادوات الکترونیک...

هدف محققین دست یابی به ابر رسانایی در دمای اتاق است که با اعمال فشار و تغییر در استوکیومتری در یک خانواده از ابر رسانا های دمای بالا? در صدد افزایش دمای گذار می باشند. هم چنین با اعمال نا خالصی به ابر رسانا می توان خواص آن را تغییر داد. پس از کشف ابر رسانا های دمای بالا? سعی بر آن شد که به روش های مختلف چگالی جریان بحرانی ترکیبات افزایش یابد. یکی از این روش ها، آلایش ابر رسانا ها با نانو ذرات ا...

روش مایکروویو، روشی سریع برای تهیه ی نانوساختارها در کوتاه ترین زمان ممکن است. در میان نیمه رساناهای مختلف، نیمه رساناهای با شکاف نوار مستقیم برای استفاده در سلول خورشیدی و کاربردهای فوتوولتایی مفید می باشد. به این دلیل، در این پروژه سنتز نانوساختارهای cuins2، cuinse2، pbs و bi2s3 به روش مایکروویو انتخاب گردید. تاثیر پارامترهایی از قبیل منبع گوکرد، غلظت واکنشگر، نوع حلال، توان و زمان مایکروویو ...

در این مقاله , گذار مات در مدل هابارد دوبعدی با استفاده از روش تقریبی وردشی خوشه ای بررسی شده است. پتانسیل گذار برای شبکه مربعی تقریباًuc ≈ 2  و برای شبکه مثلثی به دست آمده است. مقایسه ای بین نتایج به دست آمده از روش وردشی خوشه ای و سایر روشهای تقریبی خوشه ای کوانتمی انجام شده است. محاسبات انجام شده در دمای صفر و برهم کنش قوی نشان می دهد که گذار مات هم در شبکه مثلثی و هم در شبکه مربعی در مقایسه ...

جزء اصلی در یک سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه (dssc) فتوالکترود است که شامل زیرلایه ی پوشیده شده با یک اکسید نیمه رسانا می باشد. در این تحقیق اثر دو روش لایه نشانی دکتر بلید و پوشش دهی چرخشی بر عملکرد و بازده dssc مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج نشان می دهد که در روش پوشش دهی چرخشی، تخلخل و جذب رنگدانه کمتر از روش دکتر بلید است، اما به علت ایجاد یک پوشش کم ترک و پیوسته بازده dssc بیشتر از روش د...