در این پژوهش خواص الکترونی و اپتیکی ترکیب فرّوالکتریک pb0.91la0.09(zr0.66ti0.33)o3 (plzt) مورد بررسی قرار گرفت. در بررسی ها از کد wien2k و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چهارچوب نظریه ی تابعی چگالی(dft) استفاده شده است. ساختار نواری انرژی و چگالی حالت های کلی و جزئی ترکیب محاسبه و اثر اتم لانتانیوم در ساختار نواری انرژی و چگالی حالت ها بررسی شد. برای این ترکیب گاف انرژی مستقیمی در حدود ev29/2 ...

در این پژوهش خواص الکترونیکی شامل چگالی حالات و ساختار نواری بلور لانتانیوم کبالتایت (lacoo3) با ساختار پروسکایت در فاز مکعبی و رومبوهدرال با استفاده از محاسبات اصول اولیه مورد بررسی قرار گرفته است. خواص دینامیکی مورد مطالعه عبارت از: بسامدهای فونونی که شامل مدهای آکوستیکی و اپتیکی هستند، بار موثر بورن، ثابت دی الکتریک که این محاسبات با تقریب lda با استفاده از کد کامپیوتری abinit انجام گرفته اس...

در این پایان نامه، خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی سلنیدروی خالص و آلایش یافته با عناصر مغناطیسی بررسی شده است. محاسبات با روش امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2kانجام شده است. ابتدا خواص ساختاری و الکترونی سلنیدروی خالص با استفاده از دو تقریب pbesol-ggaو ldaمطالعه شد و همچنین تغییر فاز ساختاری سلنیدروی از زینک بلند به راک ...

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

در امتداد توسعه ی رو به رشد ترکیبات پیچیده با کیفیت بالا، دسته ی نیمرساناهای چهارتاییi2-ii-iv-vi4 به علت امکان تغییرات فراوان در ترکیب بندی شیمیایی و به دنبال آن بهینه سازی کارکردشان، به طور گسترده مورد توجه واقع شده اند. آزادی های ساختاری و شیمیایی فراوان این کالکوژنیدها استفاده از این ترکیبات را در کاربردهای چندگانه از جمله فوتوولتائیک ها، اپتیک غیرخطی، ترموالکتریک ها و حتی نارساناهای توپولوژ...

بلورهای فونونی ساختارهای ترکیبی هستند که مواد تشکیل¬دهنده¬ی آن¬ها به¬گونه¬ای مرتب شده است که ویژگی¬های کشسانی آن¬ها به¬طور متناوب تکرار می¬شود. رفتار فونون در چنین ساختارهایی مانند رفتار الکترون در پتانسیل تناوبی بلور و همچنین مانند رفتار فوتون¬ها در محیط¬های دی¬الکتریک تناوبی است. بنابراین، انتشار آن¬ها را می¬توان با ساختار نواری فونونی توصیف کرد، علاوه ¬بر این، در این ساختارها گاف نواری برای ...

در این مقاله سعی بر آن است که ضمن مطالعه نقش نیتروژن در فرآیندهای اپتیکی نیمه رسانای inganas, روشهای بهبود بازده اپتیکی نانوساختارهای این نیمرسانا را به منظور به کارگیری آن در ساختمان دیودهای لیزری ناحیه ir تشریح کنیم و نشان دهیم که چگونه با وارد کردن نیتروژن به ساختار inganas طول موج گسیلی آن به ناحیه مطلوب منتقل می شود و چگونه ضمن رسیدن به طول موج مناسب می توان بهره اپتیکی را بهبود بخشید. تغی...

در این پایان نامه خواص مغناطیسی، الکترونیکی و اپتیکی ترکیب ca3comno6در سه تقریب gga، gga+u، gga+u+so مطالعه شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری و چگالی حالت های کلی را با استفاده از سه تقریب محاسبه و با یکدیگر مقایسه گردید. نتایج بدست آمده نشان می دهند که این ترکیب گاف نواری غیر مستقیم در حالت اسپین بالا و پایین دارد که هرچه از تقریبgga دور می شویم (با در نظر گرفتن برهم کنش اسپین-مدار) ...

نیمرساناهای ii-vi به دلیل گاف پهن نواری و قابلیت کاربرد برای قطعات اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی گاف آن ها بین 3- 1 الکترون ولت می باشد، از این رو ابزار مناسبی برای این قطعات در ناحیه مرئی طیف هستند. در این مطالعه، ما با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی آلیاژهای نیمرسانای zn1-xmgxs، zn1-...

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب alingan از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به دست...