در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب alingan از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به دست...

در این پایان نامه برخی از ترکیبات فلزات گروه سیزده جدول تناوبی در مقیاس نانو سنتز شدند. از آنجا که خواص کلی عناصر این گروه بسیار متفاوت هستند روش های گوناگونی مورد استفاده قرار گرفت. با استفاده از روش سونوشیمی، نانو ساختار ایندیم(iii) هیدروکسید و ایندیم(iii) اکسید سنتز شدند. نانو ساختارهای آلومینیوم اکسید، ایندیم(iii) اکسید و تالیم(iii) اکسید با استفاده از پیش ماده های پلیمر کوئوردیناسیونی سنتز...

خواص ساختاری منحصر به فرد iii- نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژهledها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است. ingan به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود. از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ...

در این مقاله ویژگی های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های lda،gga و pbe0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

در این پژوهش ویسکرهای نیترید آلومینیوم (aln) در کوره لوله ای تحت جریان 500 گاز نیتروژن در دمای c˚1000 با یک ساعت ماندگاری در این دما تهیه شدند. مواد اولیه شامل آلومینیوم (al) با اندازه ذرات 3 میکرومتر و 45 میکرومتر و کلرید آمونیوم (nh4cl) بود. برای بررسی ویسکرهای نیترید آلومینیوم، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) و پراش اشعه x (xrd) به کار گرفته شدند. بررسی یافته ه...

برای یافتن حسگرهای حساس مناسب برای مولکول خردل (mu) که یکی از عوامل تاول­زا می ­باشد، در این پژوهش رفتار جذب مولکول خردل بر روی سطح خارجی نانولوله­ های آلومینیوم ـ نیترید زیگزاگ (4،0)، (5،0) و (6،0) با استفاده از روش نظریه­ ی تابعی دانسیته(dft) مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه­ سازی ساختاری در سطح نظری**311-6/lyp3b اجرا شد. فاصله ­های تعادلی، انرژی جذب، گشتاور دوقطبی، انرژی بالاترین اوربیتال مولکول...

در این مقاله ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های LDA،GGA و PBE0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می‌دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

چکیده نیترید آلومینیوم ضمن اینکه ازمقاومت به شوک حرارتی عالی برخوردار است، از نظر خواصی چون ثابت دی الکتریک (6/8) و استحکام دی الکتریک (kV/mm25-20) مشابه دیگر مواد سرامیکی است که در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار گرفته اند. نیترید آلومینیوم نانوساختار  در بین نیمه هادی های سرامیکی بالاترین گاف انرژی(eV 2/6) را دارد. نیترید آلومینیم به دلیل برخورداری از ویژگی های ذکر شده ، قابلیت فراوانی برای ...