نمونه های تک فاز چند بلوریgd1-xprxba2cu3o7-δ  با استوکیومتری 0.15, 0.10, 0.05=x با روش استاندارد واکنش حالت جامد, ساخته و با انجام آزمایشهای xrd و sem مشخصه یابی شدند. اندازه گیریهای مقاومت ویژه, اثر هال و مقاومت مغناطیسی بر روی این نمونه ها انجام شد. نتایج اندازه گیری مقاومت ویژه نشان می دهد که هر سه ترکیب ساخته شده دارای گذار ابررسانایی می باشند. دما و پهنای گذار این نمونه ها با افزایش مقدار ...

در این تحقیق اثر هال بر روی نمونه های بس بلوری (m=ni, fe) yba2cu3-xmxo7-d با مقادیر آلایش0.45 ≤ x ≤ 0 برای ni و 0.03 ≤ x ≤ 0 برای fe در میدان های مغناطیسی k‏oe 4.61, 2.52 و 6.27 عمود بر سطح نمونه با جریان عبوری ثابت100 ma ، بررسی شده است. اندازه گیری های مقاومت ویژه کاهش دمای گذار با افزایش میزان آلایش را نشان می دهد، که آهنگ این کاهش در آلایش ni بیشتر از fe می باشد. در تمامی نمونه ها برای این ...

سنسور میدان مغناطیسی مبدلی است که میدان مغناطیسی را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. سنسورهای نیمه هادی گالوارنومگنتیک ، با توجه به نیروی لورنتس که به حاملهای بار وارد می شود، به میدان مغناطیسی حساس می باشند. در این پایان نامه ابتدا به فیزیک اثر هال که یکی از مشهودترین آثار گالوانومگنیک می باشد، در نیمه هادیها پرداخته شده است . ابتدا یک تحلیل تقریبی ارائه شده و سپس روابط دقیقتر برای ضرایب اس...

- اندازه گیری اثر هال نشان داد که ضریب هال مستقل از دما نبوده و با تغییر چگالی حامل ها که به علت تغییرات دما می باشد تغییر می کند. تغییرات در از 4/0 تا 6/0 سانتیمتر مکعب بر کولن بود و در دماهای پایین به یک مقدار ثابت میل کرد. این مقدار ثابت حدود 2/1 سانتیمتر مکعب بر کولن است. این تمایل به مقدار ثابت بیان گر این مطلب است که چگالی حامل ها به یک مقدار تقریبا ثابت میل می کند. با افزایش دما از 100 ت...

از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حاملهای بارو خواص ساختاری لایه های نازک سلنیدقلع که با روش نهشت حمام شیمیایی(cbd) با 2/0± 12=ph در دمای اتاق روی زیرلایه...

اثر کوانتومی هال در سیستم های الکترونی دوبعدی در مرز مشترک بین دو نیمه رسانا یا بین یک نیمه رسانا و یک عایق در حد میدان های مغناطیسی شدید عمود بر سطح و در دماهای بسیار پایین رخ می دهد. اثر کوانتومی هال نتیجه مستقیم کوانتش تراز های لاندائو و بی نظمی است. در حقیقت کوانتش هال به سبب پتانسیل ناخالصی نمونه آشکار می شود. اثر کوانتومی هال ویژگی هایی را نشان می دهد که به جزئیات سیستم بستگی ندارد. اثر ...

برای بررسی اثر هال در نمونه های بس بلوری ابررسانای دمای بالای ybco آلاییده به نانولوله های کربنی (cnt)، ولتاژهای طولی و عرضی در میدان های مغناطیسی مختلف(0-9t)، در حالت گردابی اندازه گیری شد. ما یک تغییر علامت ضریب هال را نزدیک 3t برای نمونه خالص ybco و یک تغییر علامت دوگانه را نزدیک 3t و 5t برای نمونه ybco آلاییده به 0.7wt%cnt یافتیم. می توان نتیجه گرفت که آلایش cnt سبب میخکوبی قوی گردابه ها در...

در این کار ما قصد داریم قرص های برافزایشی استاندارد همراه با تاثیرات میدان مغناطیسی و اتلاف ناشی از وشکسانی و مقاومت مغناطیسی را شبیه سازی کنیم؛ با استفاده از کد ‎pluto‎ می توان سیال برافزایشی مغناطیده را شبیه سازی کرد و تغییر در چگالی، فشار و سرعت های سیال و گازهای اطراف قرص را مورد بررسی قرار داد؛ این تغییرات که ناشی از جابجایی و حرکت ذرات می باشند موجب خم شدگی در خطوط میدان مغناطیسی در داخل ...