در این رساله تک مولکول مغناطیسی میان دو الکترود عادی قرار گرفته است و با اعمال ولتاژ گیت به تک مولکول و ولتاژ بایاس به الکترودها شرایط برای تونل زنی پی در پی آماده می شود. سپس با استفاده از معادله نرخ پائولی جریان عبوری از این سیستم در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان مغناطیسی عرضی و طولی و در دماهای مختلف و دمای صفر محاسبه می شود.

مقدمه: ایجاد جریان​های اسپینی به​وسیلۀ اعمال گرادیان دما توجه دانشمندان زیادی را به​خود جلب​کرده است. زمینۀ اسپینترونیک از اسپین​الکترون برای ذخیره و پردازش اطلاعات استفاده می​کند و اسپین​کالریترونیک، جریان​های اسپینی را به حرارت مرتبط می​سازد. ما از DNA به​عنوان مولکولی آلی برای بررسی پدیدۀ اسپین​کالریترونیک استفاده کرده​ایم. در مطالعۀ حاضر به​منظور ایجاد گرادیان دما از لیزر مادون قرمز استفاده...

یکی از زمینه های مورد علاقه در اسپینترونیک، تزریق جریان اسپینی از یک ماده ی فرومغناطیس به درون نیم رسانا است. یکی از راه های افزایش کارآیی ابزارهای اسپینترونیکی، به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند؛ نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100% در تراز فرمی، گزینه مناسبی برای این منظور هستند. از آن جا که اثرات مرز مشترک، می تواند درجه ی قطبش اسپین...

در سال های اخیر انتقال قطبیده ی اسپینی در ساختارهای نیمه رسانا به دلیل ظهور در شاخه ی اسپینترونیک، بسیار مورد توجه قرار گرفته است. آینده ی سازه های دیجیتال ممکن است علاوه بر دست کاری بار الکتریکی، با اسپین الکترون نیز سروکار داشته باشد. فرآیندهایی که علاوه بر بار الکتریکی از اسپین الکترون نیز بهره می جویند، به عنوان اسپینترونیک شناخته می شوند. از این روی، جریان وابسته به اسپین در اتصالات مولک...

از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار راشبا در سال 1990، تاکنون تلاش های زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماد? نیم رسانا صورت گرفته است که منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالع? خواص ترابرد بار و اسپین در حضور برهم کنش اسپین-مدار از اهمیت بنیادی و کاربردی زیادی برخوردار است. در این پایان نامه ض...

از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در فناوری، صنایع حس گرها و ثبت کننده ها شده است. مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانوساختارها و چند لایه ها به ما در طر...

در تحقیق حاضر انتقال اسپین در یک سیلیسن نرمال/سیلیسن فرومغناطیس/سیلیسن نرمال مطالعه شد.رسانندگی اسپین که در اتصالات سیلیسنی به طور متناوب با پهنای سیلیسن فرومغناطیس تغییر می-کند، نشان داده شد. همچنین مشخص شد که درجریان بین اتصالات سیلیسنی ،اسپین به خاطر جفت شدن درجات آزادی اسپین،ونقاط دیراک پلاریزه می شود و این پلاریزاسیون اسپین به کمک ولتاژ گیت کنترل میشود. هدف این مطالعه رسانندگی اسپینی در ی...

در این پایان نامه به بررسی ترابرد وابسته به اسپین نانوساختارهای مغناطیسی از قبیل نانوسیم های فرومغناطیس، پادفرومغناطیس و فری مغناطیس پرداخته می شود. محاسبات در رهیافت بستگی قوی و با استفاده از روش تابع گرین انجام می شود. نتایج مربوط به یک نانوسیم فرومغناطیس نشان می دهد که وجود نقص مغناطیسی و افزایش تعداد آن احتمال چرخش اسپین الکترون عبوری را افزایش و چگالی حالت های سامانه را کاهش می دهد. بررسی ...

در حال حاضر تحقیقات وسیعی روی استفاده از مولکول های آلی به عنوان قطعات الکترونیکی و اسپینترونیک مولکولی در حال انجام است. در اسپنترونیک مولکولی از مولکول های آلی به خاطر ساختار قابل کنترلشان، ارزان بودن، انعطاف پذیربودن و همچنین طول همدوسی اسپینی بزرگی که نسبت به فلزات و نیم رسانا های رایج دارند، به عنوان کانال مولکولی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پژوهش ابتدا، خواص ساختاری و الکترونی الیگو...

نانو اسپینترونیک که همان کاربرد فناوری نانو در تولید قطعات اسپین – الکترونیکی می باشد یکی از زمینه های بسیار پر کاربرد و جذاب از علوم و فناوری نانو است. در نانو اسپینترونیک از درجه آزادی اسپین الکترون به منظور انجام محاسبات استفاده می شود. به عنوان کاربردی از نانو اسپینترونیک در صنعت، می توان از مقاومت های مغناطیسی بزرگ (gmr) نام برد که از آنها در دیسک های سخت استفاده می شود. تولید جریان های ...