با پیشرفت روزافزون علم نانو، بررسی خواص فونونی و گرمایی سامانه هایی در ابعاد نانو از اهمیت بسیاری برخوردار است. در این پایان نامه به بررسی ضریب عبور فونونی و رسانندگی گرمایی زنجیره های جرم-فنر شامل ناخالصی ها با در نظر گرفتن اثر نیروی خطی و غیر خطیبا استفاده از روش ماتریس انتقال می پردازیم. دیده می شود که با افزایش جرم ناخالصی ها و هم چنین افزایش قدرت فنر های بین آن ها ضریب عبور فونونی و در نتی...

ما در این مقاله با استفاده از روش نوسانگر واداشته (fom) و تکنیک ماتریس انتقال, ماهیت حالتهای فونون و چگونگی انتشار موج در زنجیرهای شبه تناوبی مرکب از شبکه های فیبوناچی نوع جایگاهی, پیوندی و مخلوط را در حضور یک نیروی تناوبی خارجی به صورت عددی بررسی می کنیم. با محاسبه نمای لیاپانوف (exponent lyapunov) و نسبت مشارکت, خواص جایگزیدگی ویژه حالتهای فونون در این زنجیرها را نیز مطالعه می کنیم. توجه ما م...

هدف تحقیق حاضر بررسی طیف فونونی ساختارهای ساده ای مانند زنجیره های اتمی و با استفاده از آن، تعیین کمیتهای ترمودینامیکی ساختارهای مختلف با ساختار پایه ای مکعبی ساده و مقایسه ی این کمیت ها بین اندازه های نانومتری و اندازه های بزرگتر است. مدهای ویژه ی سامانه های مورد نظر با استفاده از تقریب هماهنگ برای پتانسیل و روش ماتریس انتقال تعیین می شوند. سپس با استفاده از روابط آماری استاندارد برای بوزون ها...

در این پایان نامه، کارایی تبدیل توان گرمایی به توان الکتریکی یا کمیت شایستگی در نانو ساختارهای دو بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. در صورتی که بتوان به کمیت شایستگی بالایی دست یافت، ماده ای وجود خواهد داشت که بوسیله ی آن می توان گرما را به الکتریسیته تبدیل کرد، واضح است که به این ترتیب می توان از گرمای اتلافی به خوبی استفاده نمود. به این منظور، با حل معادله انتقال بولتزمن و تابع توزیع غیر تعادل...

در سال های اخیر انتقال گرما در نانوساختارها توجه بسیاری از محققین را به خود جلب نموده است. در حقیقت هنگامی که ابعاد مشخصه (و/یا زمان مشخصه گرمایش) سیستم با متوسط پویش آزاد فونون (و/یا زمان واهلش فونون) در سیستم قابل مقایسه باشد، قوانین کلاسیک انتقال حرارت اعتبار خود را از دست می دهند. به خصوص نشان داده شده است که هدایت گرمایی در این شرایط دیگر از معاله پخش فوریه تبعیت نمی کند. در این صورت برای ...

هدف این پایان نامه تحلیل رفتار انتقال بار در ادوات تزویج بار (ccd) می باشد. این ادوات عمدتا در دو بخش مورد استفاده قرار می گیرند، یکی در زمینه تصویربرداری و دیگری در زمینه پردازش سیگنال. افزایش سرعت پردازش از مهمترین نیازهای بخش پردازنده های تصویر و ماکروویو به حساب می آید. در این پایان نامه ضمن مطالعه ساختار و عملکرد کلی ccd ، ساختار قطعه 2deg-ccd بطور خاص تشریح می گردد. فرآیند انتقال بار درای...

نقش مهم برهمکنش قوی الکترون – فونون را در ابررسانای دمای بالا با ارزیابی نتایج برخی آزمایشهای مهم, مانند پراکندگی ناکشسان نوترون و پرتوی x, طیف سنجی نوری با تفکیک زاویه ای, و اثر ایزوتوپ بررسی می نماییم. همچنین, نتایج محاسباتی خود از ویژه مقادیر و ویژه بردارهای مدهای ag رامان و وابستگی ساختار نوارهای الکترونی به تغییر مکان یونها را بر اساس نظریه تابعی چگالی عرضه می کنیم. به روشنی مشهود است که ن...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

در این پژوهش، الکترونی را در نظر گرفته‌ایم که با یک فونون اپتیکی طولی در یک نقطه کوانتومی مثلثی با ناخالصی کولنی جفت شده است. ابتدا، ویژه مقادیر و ویژه توابع حالت پایه و حالت اولیه برانگیخته الکترون با روش وردشی محاسبه شده و سپس آنتروپی این کیوبیت نفطه کوانتومی برای مقادیر مختلفی از پارامتر ناخالصی کولنی، شعاع پولارون و قدرت جفت شدگی الکترون و فونون اپتیکی طولی بررسی شده است. تحلیل‌های عددی ‌نش...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...