بس لایه های آمورف (1x

در این پژوهش بس لایه‌ های Co-Cu/Cu و Fe-Co-Cu/Cu بر روی زیر لایه شیشه /طلا به روش الکتروانباشت لایه‌ نشانی گردید. ناهمواری‌ های سطحی این لایه ‌ها به‌ وسیله میکروسکوپ نیروی اتمی بررسی شده و سپس با رسم نمودار ناهمواری‌ سطحی بر حسب طول اسکن در مقیاس لگاریتمی نوع و اندازه ناهمواری‌ های سطحی مورد محاسبه قرار گرفت. ساختار بس لایه ‌ها توسط پراش اشعه ایکس مورد مطالعه قرار گرفت و پیک‌ های مشخصه و ساختار...

در این پژوهش بس لایه های co-cu/cu و fe-co-cu/cu بر روی زیر لایه شیشه /طلا به روش الکتروانباشت لایه نشانی گردید. ناهمواری های سطحی این لایه ها به وسیله میکروسکوپ نیروی اتمی بررسی شده و سپس با رسم نمودار ناهمواری سطحی بر حسب طول اسکن در مقیاس لگاریتمی نوع و اندازه ناهمواری های سطحی مورد محاسبه قرار گرفت. ساختار بس لایه ها توسط پراش اشعه ایکس مورد مطالعه قرار گرفت و پیک های مشخصه و ساختار بلوری لا...

در این تحقیق فیلم های بس لایه ای فلزی co-cu/cu با زوج لایه های نانومتری و با استفاده از روش الکتروانباشت در محلولی حاوی سولفات مس و سولفات کبالت بر زیرلایه بس بلور ti با بافت های قوی (101) و (103) و (001) با مقادیر مختلف پارامترهای رشد مانند ولتاژ انباشت، ضخامت کل و دمای الکترولیت تهیه شدند. سپس نانو ساختار فیلم های تهیه شده توسط دستگاه پراش پرتویx  و ریخت شناسی آن ها توسط میکروسکپ الکترونی روب...

در این تحقیق بس لایه­های فلزی ni-cu/cu با ضخامت زوج لایه­ متفاوت بر روی زیرلایه­های cu با بافت قوی ( 100 ) به روش الکتروانباشت تهیه گردیدند. سپس ساختار این نمونه ها توسط دستگاه xrd و میکروسکپ sem مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. قله های اقماری موجود در طیف xrd ساختار بس لایه­ای و در نتیجه ابرشبکه بودن فیلمها را موردتأیید قرار داد. این طیف نشان داد که بس لایه­ها نیز دارای یک بافت قوی ( 100 ) و ساخ...

�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

در این تحقیق، نانوسیم‏های بس لایه مس/ پالادیم با استفاده از روش رسوب دهی الکتروشیمیایی درون قالب پلی کربنات رشد داده شدند. رشد نانوسیم‏ها در هنگام رسوب با پتانسیل ثابت با استفاده از نمودار جریان- زمان مورد بررسی قرار گرفت. خواص ریخت شناختی نانوسیم‏ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی ( sem ) مورد مطالعه قرار گرفت و نتایج نشان داد که تقریبا طول تمام نانوسیم‏ها برابر بوده و حدود 4 میکرومتر می‏باشد و ...

بلورهای فوتونیک ساختارهای متناوب از مواد دی¬الکتریکی¬اندکه مهم¬ترین مشخصه¬ی آن¬ها داشتن گاف نواری فوتونیک است. فرمول¬بندی و روابط فیزیکی مربوط به بلورهای فوتونیک، امواج بلوخ، تقارن¬ها، نقص در بلورهای فوتونیک و ... معرفی می¬گردد. بلورهای فوتونیک مغناطیسی، نوعی از بلورهای فوتونیک¬اند که در آن¬ها اجزای مغناطیسی در کنار مواد دی¬الکتریکی قرار داده می¬شود و با به¬کاربردن میدان مغناطیسی خارجی، خاصیت م...

لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (ZnO:N) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0C450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف XRD نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیحی رشد در آنها تغییر پیدا کرده است. این تاثیر گذاری در خواص اپتیکی لایه ها نیز بخوبی مشهود بوده به طوری که عبور اپتیکی...

در این پروژه ابتدا نانوسیم های کبالت- پلاتین به روش الکتروانباشت تهیه و سپس به بررسی خواص مغناطیسی آن ها پرداخته شد. برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های بس لایه ای و آلیاژی کبالت- پلاتین، این نانوسیم ها در نانوحفره های ایجاد شده در سطح زیرلایه سیلیکون، انباشت داده شدند. با محاسبات مغناطومقاومت مشخص شد که با کاهش ضخامت لایه-های بس لایه ای، مغناطومقاومت بزرگ به مغناطومقاومت ناهمسانگرد تبدیل می ش...